电弧离子镀法制备高硬度Cr-Si-C-N薄膜.pdfVIP

第45卷 第11期 仓扇学级 Vbl．45NO．11 ACTAMETALLURGICASINICANov．2009 2009年11月第132{)1324页 PP．1320-1324 电弧离子镀法制备高硬度Cr—Si—C—N薄膜 2) 聂朝胤12)AkiroAndo卢春灿-) 贾晓芳·) 1)西南大学材料科学与工程学院，重庆400715 ResearchInstitute 2)IonEngineering Corporation，Osaka573-0128，Japan 摘要 采用电弧离子反应沉积技术在SCM415渗碳淬火钢基片卜沉积了CrSi—C—N薄膜，=三甲基硅烷(TMS)反应气体作 CrSi—C—N薄膜的化学状念、显微组织和显微硬度．Cr—Si—C—N薄膜中的Si和C含培随TMS流量的增加而单调增加．在 90 TMS流量小r 组成，薄膜硬度随流量的增加而单调增大，最大争4500HK．硬度的增加源j：固溶强化及薄膜中纳米晶／非品复合结构的形成；当 TMs流埴大于90 mL／min时，薄膜中si和C含最较多，多余的C以游离态形式存在，且随TMs流域的增加而增多，薄膜 硬度卜．降． 关键词 电弧离子镀，Cr—Si—C—N薄膜，纳米晶，硅微硬度 中图法分类号TB43 文献标识码 A 文章编号0412—1961(2009)11—1320—05 Cr—Si—C—NHARDFILMSPREPAREDBYARCIoN DEPoSITIoNMETHoD NIE 1,21。AkiroAndo21。LUChuncanu．JIA q Chaoyin xtaofan9 ofMaterialsScienceand 400715 1)School Engineering，SouthwestUniversity，Chongqing ResearchInstitute 2)IonEngineering Corporation，Osaka573-0128，Japan Correspondent：NIE ResearchFoundationtheReturnedOverseasChineseScholarsand SupportedbyScientific for Scienceand Chongqing TechnologyDevelopment received revisedform2009—07—15 Manuscript2009-04—14．in ABSTRACTPVDorCVDMe-SiN films Sielementin nanocompositesynthesizedbydoping metallicnitridematrixhaveexhibitedoxidationresistanceandwearresistance．Asthe good melting SiiSnot is to muchmoreSiinthefihnsbvPVD alloytargetcontaining easy．itdi伍cultydope addition．theMe