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背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器.pdf
第32卷第3期 红外与毫米波学报 V01．32，N0．3
Millim．Waves June，2D13
2013年6月 J．1nfrared
文章编号：100l一9014(2013)03一0214一06
背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器
魏鹏1，-， 黄松垒1．一， 李 雪1一， 邓洪海1”， 朱耀明1”， 张永刚3， 龚海梅1’2+
(1．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083；
2．中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室，上海200083；
3．中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050)
摘要：在MBE外延生长的IIlosAl02As／Ino8Ga02As材料上，采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测
K时吸收层材料热激活
器，其中心距为30肛m，并详细分析了探测器及其焦平面光电性能．结果表明，温度高于220
能为O．443ev，300K时在所考虑的偏压范围内，暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成．对组
件焦平面特性也进行了研究，并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容，在
测试温度范围内约为10珂左右．
关键词：InGaAs；暗电流；KA；寄生电容
中图分类号：TN215文献标识码：A
BackiUuminatedInGaAsdetector
arrays
谢th to2．4
extended-waVelengthIJlm
WEI HUANG LI DENG
Pen91一， Song—Leil”，Xuel’2， Hong-Haill2，
ZHU ZHANG GONGHai-Meil_‘
Yao-Min91”， Yong—Gan93，
ofTraJlsducer InstituteofTechnical
(1．StateKey【丑boratories Technology，Shanghai Physics，
Chinese
Academy《sciences。Shan曲ai2∞083，China；
ofImaredMaterialsand InstitllteofTechnical
2．KeyLaboratory Imaging Detectors，shanghai Physics，
Chinese of 200083，China；
AcademySciences，Shanghai
3．State of Materialsfor InsIjtute
Functional
KeyL小oTatory Inf0Hnatics，Shan曲ai
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