背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计.pdfVIP

第 卷第 期 年 月 42 12 红外与激光工程 2013 12 Vol.42 No.12 Infrared and Laser Engineering Dec.2013 背照式高量子效率AlGaN 日盲紫外探测器设计 赵 文伯 ，周 勋 ，李艳炯 ，申志辉 ，罗木 昌 (重庆光 电技 术研 究所 ，重庆 400060) 摘 要： 高量子效率 、 高 UV/VIS 抑制 比、宽的光谱 响应 范 围、快 的响应速度是 AlGaN 紫外探 测 器设 计追求的主要 目标 。 为 了获得适 宜于紫外焦平 面阵列的探 测器结构 ， 结合 MOCVD 外延材料 生长的 特 点 ，采 用模拟计算与 实验相 结合 的方法 ，设计 了背照式 高量子效率 AlGaN 日盲探 测器。 详 细介 绍 了 背照式 Al Ga N-pin 紫外探 测器结构参数设计的依据和设计过程 ，并给 出了设计结果 ，通过 工艺实验 ， x 1-x 对设计结果进行 了优化 。 应用设计结果进行 了器件试制 ，经测试试制器件 ，其峰值响应波长为270 nm ，光 谱响应 范 围为 250～282 nm ，峰值量子效率达到 了 57%(0 V) ，实验表 明取得 了比较理 想的设计结果 。 关键词： 高量子效率 ； AlGaN ； 日盲 紫外探 测器 中图分类号： TN21 文献标志码： A 文章编号： 1007-2276(2013) 12-3358-05 Design of back鄄illuminated solar鄄blind AlGaN photodetectors with high quantum efficiency Zhao Wenbo, Zhou Xun , Li Yanj iong, Shen Zhihui, Luo Muchang (Chongqing Optoelectronics Research Institute , Chongqing 400060 , China) Abstract : High quantum efficiency , high UV/VIS rej ection ratio, fast response and wide spectral response are the main obj ects for the design of AlGaN photodetectors. To obtain suitable detector structure for UV focal plane array , combining with the characteristics of epitaxial materials grown by MOCVD , a design of back鄄illuminated solar 鄄blind AlGaN photodetectors with high quantum efficiency was demonstrated