胶体法制备透明导电ITO薄膜.pdfVIP

第34卷 第7期 稀有金属材料与工程 、，r01．34．No．7 2005年 7月 RAREMETALMATERIALSANDENGⅡ呵EERⅡ呵G 2005 July 胶体法制备透明导电ITo薄膜 刘家祥，甘 勇，朴圣洁 (北京化工大学材料科学与工程学院，可控化学反应科学与技术基础教育部重点实验室，北京lo0029) 摘 要：以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制各ITo前驱物浆料，通过提拉法在镀有si02薄层的浮法玻璃基片上制备 nm～15nm， 进行表征；用分光光度计和四探针电阻仪检测ITo薄膜光电性能。结果表明：ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2 nm～800nm区 具有较好的分散性和稳定性；IT0薄膜厚度越大，方电阻越小，平均透过率下降；ITO薄膜在波长为360 的透过率随膜厚增加有不同的影响；退火温度越高，膜方电阻越低；当膜厚为300nm、退火温度600℃时，膜方电阻 达到258Q／口，其透过率在波长550nm处达到89．6％，且薄膜表面平整。 关键词：胶体法；IT0；薄腠；微结构 中图法分类号：TB32l 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2005)07．1169．04 洗去铟锡氢氧化物胶体中的杂质离子，再用无水乙醇 1 引 言 浸泡胶体，加入一定比例的胺类添加剂作为稳定剂， ITO，即氧化铟锡(indium．tin．oxide)是一种透明 滴加适量的冰乙酸调节pH值至弱酸性，得到金属离 电极材料。ITO薄膜具有良好的导电性和可见光的透 过性，在工业上应用广泛，在高技术领域中起着重要 2．2 ITo薄膜的制备 作用，主要应用于平面显示如液晶显示(LCD)、电致 将厚度1．1 玻璃基片先用丙酮浸泡再超声洗涤20min，然后用去 彩电显示(ECD)、传感器、电致变色(EC)灵巧窗、太 阳能电池、除雾窗以及抗静电涂层和加热玻璃等[1，2】。 离子水冲洗干净，在马弗炉中150℃下干燥。将干燥 透明导电ITO膜的制备方法，主要有磁控溅射法【3】、 好的玻璃片浸入ITO前驱物浆料以一定速度均匀提拉 化学气相沉积法(CVD)[4J、电子束蒸发法[5J、喷雾 起来，干燥热处理后再重复此过程，最后在 热解法【6】和溶胶．凝胶法(S01．gel)【7】等。工业上主要 采用磁控溅射法，这种方法需要昂贵的设备，靶材利 图l所示。 用率低于50％，成本较高；液相法制备ITo薄膜的报2．3样品表征 道较多，胶体法研究报道较少。本研究采用胶体法以 用日立H．800型透射电子显微镜观察浆料中颗粒 锡盐和金属铟为原料制备ITO薄膜，并研究了影响 ITO薄膜光电特性的各种因素；与s01．gel法相比有原 料价格低和实验过程简单的优点，制备的ITO薄膜有 薄膜样品表面形貌；日本Rigaku 较好的光电性能。 测薄膜样品的透过率；四探针电阻仪检测样品方电阻； 2 实 验 2．1 ITo前驱物浆料的制备 分布分析。 将一定量金属铟加入硝酸溶解，snCl4·5H20按 3结果与讨论 In203／Sn02的质量比为90：10的量加入混合均匀，加入 醇类分散剂和氨