脉冲直流 PCVD制备Ti(C,N)薄膜及其组织结构分析.pdfVIP

第33卷 第2期 稀有金属材料与工程 VoI33．N02 塑兰 !! 坠坚竺!坠!竺!坐!!型里型!型!!坐鱼 生!竺型!竺 脉冲直流PCVD制备Ti(C，N) 薄膜及其组织结构分析 王 昕，马大衍，马胜利，徐可为 (西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，陕西西安710049) 摘 要：用工业型脉冲直流等离子体化学气相沉积(PcvD)设备，针对不同混台气体cH4所占比例，在H13模具 关键词：PcvD；Ti(c，N)；相结构 中围法分类号：T0149 文献标识码：A 文章编号：1002．185xr2004102．0204一03 等离子体增强化学气相沉积技术(PcvD)化预处理。氮化条件是在530℃和1500Pa下，保 是在物理气相沉积(PvD)和化学气相沉积(cvD) 持H2(600ml，min)和N2(300ml，min)气体流量，控制 基础之上发展起来的表面强化技术。近年来，人们 脉冲电压750v～850 V氮化2h。沉积Ti(c，N)时， 使用PcvD技术制各了许多新型的单一膜和复合 薄膜【“”，其中在PcvD．TiN过程中加入一定量的 获取不同成分的薄膜。表1列出了具体工艺参数。 其他元素，如c，si，B等，形成Ti(C，N)，(Ti， Si)N，Ti(N，B)等新型多元陶瓷薄膜，能够改变原 TiN的组织结构，并提高膜层的硬度、耐磨性和结 合强度等，从而拓展了PcvD沉积硬质膜的应用领 (xPs)进行元素价态分析。 域【¨】。文献资料表明‘71引，有关PcvDTi(c．N) 的研究，多数集中在简单直流和射频PcvD技术方 表1 沉积硬质薄蕨的相关参数 面。本研究利用脉冲直流PcvD渗镀复台工艺，制 !!!望!!!竺!!坐l ThicknessProcess Proces8 ． 各Ti(c，N)硬质薄膜，并对其表面形貌、相结构 x Coatings ，岬 No． parameters 进行研究。 TiN 0 5．0 1 3．0 2 Pressure：200Pa～230P8 1 实验方法 Ti(C，N)19％ 38％ 4．O 3 Plasma nitridetime：2h 试样为H13模具钢，经常规热处理(1060℃ 50％ 4．O 4 De口ositiOntime：4h 淬火，530℃高温回火3次)后(HRc47)研磨、 86％ 3．0 5 DeDositiOntime：4h 抛光至镜面态，用分析纯丙酮超