脉冲直流PCVD制备Ti-Si-N薄膜的电化学腐蚀行为.pdfVIP

第33卷 第7期 稀有金属材料与工程 V01．33，No．7 ANDENGn呵EERTNG 2004 MErr-ALMATERIALS July 2004年 7月RARE =：：：： ：：——————————————————————————————————————————————————。——————————————一 脉冲直流PCVD制备Ti．Si—N 薄膜的电化学腐蚀行为 马大衍，王 昕，马胜利，徐可为 (西安交通大学，陕西西安7l0049) 摘要。用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备，在550℃的高速钢基材表面沉积由纳米晶TiN，纳米非晶si3N4 at％ at％～35 以及纳米或非晶TiSi2组成的复相薄膜。通过改变氯化物混合比例调节薄膜的成分。薄膜中的Si含量在O 范围内变化。结果表明，当加入少量Si元素后，由于非晶相的产生，TiN薄膜的耐腐蚀性能显著提高，并在一定Si含 量的薄膜中发生了负腐蚀现象。但由于Si的低导电性能，致使高硅含量薄膜颗粒粗大，因此更高Si含量薄膜的耐腐蚀 ～ 性能又有所下降。 关键词tPCVD；Ti-Si．N；非晶；耐腐蚀性 中圈法分类号lTG146．4 文献标识码：A 文章编号t 1002-185x(2004)07·0740-04 行为’研究s1元素的加入对薄膜的抗腐蚀性能影响。 1 引 言 2实验 材料研究者已经相继用化学气相沉积CVD、等 离子体辅助化学气相沉积PCVD和物理气相沉积PVD 实验选用的基体材料为高速钢(W18C“V)，经 常规热处理(HRC62)后研磨抛光至镜面状态。分析 等方法制备出多元、多层硬质薄膜，如TiAlN、TiBN、 TiCN、TiC．TiCN．TiN等，薄膜自身硬度、强度、高纯丙酮、酒精超声清洗除油后干燥，在自制的内热式 mm×650 温稳定性及与基体的结合行为得到了明显改善[1~3】。 PCVD真空炉(有效容积西450mm)中进行 TiN基硬质镀层除因高硬度、高耐磨性以及和基体良 Ti．Si．N镀膜。设备原理和特点详见文献[10]。 好的结合性能用于表面强化目的外，好的化学稳定性 Ti．Si．N沉积条件是在550℃，令气体混合比为 能也可能成为1种理想的表面防护材料。然而TiN基 镀层并非都表现出所应具有的耐蚀能力，其耐蚀性大 小取决于镀层的化学成分与组织结构。Aromaa等【4J由载氢在40℃恒温带出。浮子流量计调节SiCl4流量 研究TiN，(Ti，A1)N镀层在稀硫酸中的腐蚀行为发现，改变薄膜中Si含量。％在O％一67％范围内变化。表 在镀层厚度≤5“m一6“m的范围内，镀层内部的各类 1列出了具体的沉积参数。 缺陷及微孔数量对耐蚀性的影响最严重。Matnlew等【5】 PcvD 裹1 Ti．si．N薄膜工艺参数 对PVDTiN镀层的耐蚀性研究也发现，在较低的过电