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脉冲直流PCVD制备新型Ti-Si-C-N纳米复合超硬薄膜.pdf
第35卷 第5期 稀有金属材料与工程 Vr01．35．No．5
2006年 5月 RAREMETALMATERIALSANDENGⅡqEERⅡ呵G May2006
脉冲直流PCVD制备新型Ti．Si．C．N
纳米复合超硬薄膜
畅庚榕，郭岩，马胜利，徐可为
(西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，陕西西安710049)
摘
siCl·和CH4流量变化是影响薄膜相组成和硬度变化的主要工艺参数。随Si含量的增加，薄膜的显微硬度先升后降，表
面形貌由致密的细颗粒状变为粗大的枝条状；C元素的加入能抑制柱状晶的形成，对硬度影响较小。
关键词：PcVD；Ti．si．c．N；纳米复合超硬薄膜；微观结构；显微硬度
中图法分类号：TB383 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2006)05．0824．04
定性能，采用脉冲直流等离子体化学气相沉积方法，
1 前 言
等离子体化学气相沉积(PCVD)技术可细分为
膜。因为我们前期和英国Teer公司合作研究发现，碳
射频(I江)PCvD，微波(Mw)PCvD，直流(DC)PCVD元素可显著降低薄膜的摩擦系数，如非晶碳膜的摩擦
及脉冲直流(PulsedDC)PCVD。其中脉冲直流PCvD
方法具有灭弧功能强，热、电参数分离性好，气源成 膜的微观结构、相组成及显微硬度。
分独立控制，尤对盲孔、狭缝等特殊部位薄膜沉积均
2 实 验
匀性好等优点。因此，近年来脉冲直流PCvD技术在
Si)N等硬质薄膜2．1 试样制备
制备TiN，TiC，Ti(CN)，(TiA1)N和(Ti
上得到广泛的研究，并已在各种工业用刀具、模具上
取得了初步使用效果[1川。在单一的二元薄膜和三元复
合薄膜研究基础上，新型的Ti．Si．C—N四元复合超硬乙醇超声波清洗除油后干燥，在PCVD真空炉中进行
薄膜以其独特的微观结构和优异的性能正成为薄膜领 镀膜。设备原理和工艺特点详见文献[10]。
域的研究热点。D．V．Shtansky等人通过物理气相沉积镀膜参数为沉积温度550℃，气压200Pa，脉冲
V／550
(PVD)研究了Ti．Si—C．N超硬薄膜的结构和性能，发电压650 V，脉冲持续和间歇时间25¨s，沉积
现薄膜中纳米晶粒为有序和无序排列的无定形组织， 时间4
呈现(200)和(220)混合择优取向，薄膜显示较高40(m1／min)不变，调1节SiCl4(8m1／min～15ml／min)
Kuo m1／min～400
的微观硬度，抗高温氧化性能良好[5]；Dong—Hau和CH4(170 ml／min)的流量来制备不同
等人用化学气相沉积(CvD)分别在650℃，800℃，
1000℃制备了Ti—si—c—N硬质薄膜[6~引，发现薄膜结构
室温下通入真空炉中。
致密，晶粒呈现尖晶状，硬度达27．5GPa。目前尚未 2．2测试方法
发现用脉冲直流等离子体化学气相沉积(PCVD)制
备Ti．Si—C．N四元薄膜的研究报道，为了进一步优化
其微观结构，降低摩擦系数，提高其硬度和抗高温稳 量；D／max一3C
x射线衍射仪(XRD)对薄膜进行物相分
收到初稿日期：2005—03—14；收到修改稿日期：2005．11．09
(50420130033)资助
万方数据
第5期 畅庚榕等：脉
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