腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究.pdfVIP

锨 财 辩 文章编号：1001—9731(2013)15—2222—05 腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究。 蒋 稳，邹 宇，伍建春，展长勇，朱敬军，安 竹，杨 斌，黄宁康 (四川大学原子核科学技术研究所，辐射物理及技术教育部重点实验室，四川成都610064) 摘 要： 采用电化学刻蚀方法，在n型高阻单晶硅片 在电化学刻蚀制备多孔硅阵列工艺中，刻蚀的孔 上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对 形貌、尺寸和深度受到硅片电阻、掩模、溶剂、电流、光 0I。 制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表 照等条件的影响，溶液配方和HF浓度影响较大邸。1 明，在其它相同的实验条件下，改变组元乙醇的比例， 从目前的文献分析可知，通常选用的刻蚀溶液除了 制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀 HF酸和水外，添加的常用有机溶剂有二甲基甲酰胺 液中组元乙醇含量的减小，制备的多孔阵列结构中的 (DMF)E63、二甲基亚砜(DMSO)L E 孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐 nod 蚀液配方中的HF浓度时，制备的多孔阵列结构中的 的活化剂，可以提高孔内壁的亲水性，从而改善刻蚀液 孔的大小及深度也随之改变，对此的机制进行了探讨。 及电流密度的分布，这样可有效提高孑L内壁光滑度及 关键词： 中子探测器；电化学刻蚀；多孑L硅阵列；形貌 降低多孔硅结构缺陷口0|。刻蚀的孑L阵列的孑L径不同， 中图分类号：TLSl6+．3；TN303；TQ035文献标识码：A相应的有机溶剂和HF酸的比例会有变化，同时多孑L DOI：10．3969／j．issn．1001-9731．2013．15．020硅阵列结构中孔表面及孔壁的形貌也会有变化。 到目前为止，大量的报道都是采用电阻率在1009l 1 引 言 ·cm以下的低阻单晶硅多孔阵列的制备。采用电化 规整多孔硅阵列在X射线成像、热中子探测器和 学刻蚀的方法进行高阻n型硅的多孔阵列的制备研究 微通道板等方面有很强的应用前景，如利用多孔硅大 的比表面积制作的硅基三维中子探测器理论上可将探 阻单晶硅上制备有序多孔阵列，研究腐蚀液配方中乙 测效率最大提高到45％以上，远高于平面硅基探测器 醇、水及HF溶液的不同比例对制备出的多孔硅阵列 的极限值4．9％[1]。X射线成像探测器利用多孔硅阵结构形貌的影响，并讨论了相关的机理。 列孔径小、问距小的特点来提高像素分辨率，一般孔间 2 实 验 距约1”mEz,33。而热中子探测器需要硅基体传输载流 子，通常孔内填充中子转换材料如10B、6Li等，所以需 要的多孔硅阵列需要孔径、间距都要10pm才能满 足材料填充、载流子传输的需要，并且这种硅基体的电 硅片经热氧化、光刻，然后通过TMAH溶液的各向异 阻率要在1kt-I·cm以上L4J。 性腐蚀，在其表面生成倒金字塔型的蚀坑，然后再进行 制备多孑L硅阵列的方法有深反应离子刻蚀 电化学腐蚀以形成多孔硅阵列，其过程如图1所示。 (DRIE)、离子束刻蚀(IBE)和电化学阳极氧化刻蚀 本文的电化学刻蚀多孔阵列中预制光刻板为孔尺寸 (EE)等u。4j，其中电化学刻蚀由于工艺简单、造价低 10肛m×10肚m、间距40弘m的图形。 廉、重复性好而倍受青睐。电化学阳极氧化刻蚀进行