Ch.04_MEM设计.ppt

DRIE SiO2 etching 13. The oxide below the comb fingers is etched using Buffered Oxide Etchant following the necessary precautions. That’s how the comb fingers are released. KOH etching 14. A (100) nitride wafer is taken and oxide is grown on it. Then it is patterned using the mask shown below. The oxide is etched with buffered oxide etchant and then the wafer is etched with KOH to a depth of around 300 μm. Wafer Bonding 15. The bonded wafer and the top oxidized wafer are bonded using epoxy. The oxide wafer reduces the stray capacitance. 隧道电流加速度传感器 1．在硅基底长氮化硅 DI rinse and dry LPCVD of nitride (1 ?m) 2．在氮化硅上生长金－铂－钛合金，并图形化 Deposit 50 ? Ti, and 50 ? Pt, and 400 ? Au 3．长二氧化硅 Deposit 3.0 ?m oxide by PECVD 4．图形化二氧化硅 Postbake and develop 6:1 BOE etch oxide cavity 5．与另一片重掺杂的硅片键合 Clamp wafers together and hold at 900 C, 1-4 barr, oxygen ambient Anneal at 800 C 6．湿法腐蚀上片硅，至重掺杂自停止 EDP etch 7．图形化重掺杂的硅层并干法腐蚀穿透 RIE etch hole through highly doped epitaxial Si Pirahna strip photoresist 8．干法腐蚀裸露处的二氧化硅 9．淀积硅尖 Deposit 10,000 ? Au 10．释放结构 11 封装 复合传感器 电容式半导体压力传感器具有灵敏度高、稳定性好和对应力较不敏感的优点。简单的两极板电容器，当忽略边缘效应时，电容器的电容值 可以固定其中两个参数，改变另一个参数，这样电容的值就由这个参数的变化决定。根据三个参数变化的不同，电容式传感器分为变极间距型，变面积型和变介质型三种类型。电容值的变化可以使输出电阻、电流或频率发生改变。在硅微传感器中常用的是变极间距型电容传感器。这类传感器灵敏度高，适用于压力，力的测量。 温度传感器的工作原理 在恒定电流的条件下，PN结的正向电压与温度在很宽的温度范围内表现出良好的线性。 此式给出了基极—发射极电压与变量T和IC的 函数关系。如果电流IC为常数，则上式表明 VBE仅随温度做单调且单值变化。因此可以用 VBE进行温度测量 。 1—电极， 2—外壳， 3—引线， 4—压力敏感硅块， 5—垫块， 6—玻璃， 7—垫块， 8—硅梁， 9—加速度敏感硅块， 10—底座， 11—引脚 传感器的结构 复合传感器的加工工艺流程 三轴加速度传感器有限元模型 x单向受力的变形图 Y单向受力的变形图 z向受力的变形图 三向受力变形图 三维加速度计芯片在EPW体硅腐蚀前扫描电镜照片 a 正面 b 反面 加工照片 三维加速度计芯片在EPW体硅腐蚀后扫描电镜照片 a 正面 b 反面 加工照片 SEM照片 陀螺的制作工艺流程 Grow SiO2 1. A 300μm thickness silicon wafer (100) is taken and subjected to thermal oxidation. The oxidation was done at 1100°C for a thickness of 2 μm. 2. The oxide wafer is coated with photoresist and then use the mask shown below to pattern it. 3. A heavily doped n++ silicon wafer is taken and bonded to the patterned oxid