传感器3_5章磁敏传感器2.pptVIP

传感器技术及应用机械09 2011～2012第二学期 2012年3月 5.6 磁敏传感器 半导体磁敏传感器：可将磁场强度参数转变为电参数的传感器。 种类：霍尔传感器、磁敏电阻传感器、磁敏二极管、磁敏晶体管等。 特点： 可实现非接触检验，寿命长、可靠性高。 从直流（0Hz）到高频（数十GHz）其特性完全一样。 不仅能够测量运动磁场强度,也能测量静止的磁场。 能够使器件小型化和集成化。 一、霍尔元件 霍尔电压形成的定性说明 (a)磁场为0时，电子在半导体中的流动; (b)磁场不为0，电子在劳伦兹力作用下发生偏转; (c)电荷积累达到平衡时,电子在流动 二、 磁敏电阻 磁敏电阻是一种电阻随磁场而变化的磁敏元件，也称MR元件。它的理论基础为磁电阻效应。 1、工作原理 磁电阻效应： 将载流导体（金属或半导体）置于外磁场中，不但产生霍尔效应（电势或电场），同时电阻也会随磁场而变化。这种现象成为磁敏电阻效应，简称磁电阻效应。 2. 作用机理 外磁场改变了导体载流子迁移的路径，致使与外界电场同方向的电流分量减小，等价于电阻增大 （1）物理磁阻效应 具有两种载流子的材料通电后，电子和空穴电流密度分别为 jn 和jp ，总电流密度j 磁敏电阻材料 当材料中仅存在一种载流子时，磁阻效应几乎可以忽略，此时霍尔效应更为强烈。在电子和空穴都存在的材料（如InSb）中，则磁阻效应很强。 一般使用N型InSb(锑化铟)和InSb―NiSb半导体材料做成磁阻器件。 （2）几何磁阻效应 无外磁场时，电流密度矢量j与电场一致 有外磁场时，j与合成电场方向有一夹角? 增大磁阻效应途径： 缩短电流路径l，增大电极长度w，减薄磁阻材料d （a）用薄膜技术制作在基片上，典型厚度是20μm, （b）矩形磁阻元件，横向宽度w 比纵向长度 l 大40倍, （c） 把W l 的扁平器件串联起来——栅格磁阻器件。 科比诺圆盘 中心和边缘为两电极 不存在横向霍尔电场和电势 磁敏电阻变化更加明显 栅格磁阻器件 在LW长方形磁阻材料上面制作许多平行等间距的金属条（即短路栅格）， 相当于许多扁条状磁阻串联。 零磁场电阻约100Ω,栅格金属条在100根以上。 栅格磁阻器件既增加了零磁场电阻值、又提高了磁阻器件的灵敏度。 4、磁阻式传感器应用——磁阻效应角度传感器 测量原理——输出电压与磁场角度成正比 由于电阻没有极性，仅与磁场强度的绝对值成正比， 磁极每转动180度，某个位置上的磁敏电阻阻值变化一周期， 相对180度布置的两磁敏电阻a和d同步变化＋?R 与a，d相差90度布置的磁敏电阻b，c变化周期差180度， 即b，c与a，d正好反相－?R 磁阻式传感器应用——磁阻效应角度传感器 将相间90度布置的四个磁敏电阻接入电桥电路， 传感器每相对磁极转动180度，输出电压变化一个周期。 KMZ41型传感器：内含8个MR形成两组电桥 UZZ900信号调理芯片 KMZ41型传感器：可以实现辨向功能 两组磁敏电阻相对磁场布置相差45度，磁阻变化相位差90度 两组电桥的输出电压相位相差90度 两组电桥制作成相差45度分布，输出信号相差90度 可判别角度方向 转速传感器 传感器与调理电路 安装 工作原理 输出方波—— 频率信号 各向异性磁阻传感器(AMR) 原理： *Anisotropic Magnetoresistive Effect——各向异性磁阻效应 各向异性磁阻传感器是将铁镍合金薄膜沉积在硅基底上构成的，沉积的时候薄膜以条带的形式排布，形成一个平面的线阵以增加磁阻的感知磁场的面积。 当外部磁场加到这样的铁磁性薄膜上的时候，磁畴旋转，改变空间取向，这样使得薄膜条带构成的线阵的表观电阻发生改变。具体的说，电桥的相对的两个臂上的电阻增大，而另外两只相对的臂上的电阻减小，就反应在电桥电压输出的改变上。 芯片内的惠斯通电桥 各向异性磁阻传感器HMC1002 HoneyWell公司的HMC1002 特性： *响应时间短（可以测高频交变磁场） *测量精度高 （达10^(-8)T) *有两个敏感轴，可确定平面内大小方向 芯片体积小，定位较准确 芯片管脚排布 HMC1052磁阻传感器由两个AMR 传感器(各向异性磁阻传感器) 整合在一起,可以把任何水平方向的磁场分解为X , Y 两个方向的矢量。 三、 磁敏二极管(SMD) 工作原理 在高阻半导体芯片（本征型I）两端，分别制作P、N两个电极 P、N为重参杂区，I区长度较长 I区一侧光滑，一侧打毛粗糙， 粗糙表面易于使电子－空穴对复合而消失，成为r面（复合区） 外加正向偏压：P区接正，N区接负大量空穴从P区注入I区；大量电子从N区注入I区 未加磁场，电子和空穴运行方向不偏转 磁敏二极管加正向电压：P+——N- 当磁场方向