第十七节 MEMS专题.ppt

SET TIME/FREQ LOAD STEP SUBSTEP CUMULATIVE 1 26908. 1 1 1 2 35464. 1 2 2 3 59671. 1 3 3 4 72029. 1 4 4 5 0.32776E+06 1 5 5 对0-100g结构进行模态分析，得到结构的前五阶固有频率及其前三阶的振型如下所示。 结构静力学分析是ANSYS 产品的家族中7种结构分析之一，主要用来分析由于稳态外载荷所引起的系统的位移、应力和应变，其中稳态载荷主要包括外部施加的力和压力、稳态的惯性力如重力。 在该结构设计时，在结构上加载满量程加速度值（如为0-100g量程的结构，在进行静力学分析时加载100g的加速度），查看结果时，主要判断梁上的最大等效应力值是否超过硅材料的弯曲强度(80MPa)。 2.静力学分析 结构等效应力分布云图 3.路径分析 在静态求解之后通过路径分析来判断梁上的应力是否线性分布，在得到梁上应力的线性分布区域之后，在应力值最大的线性区域放置压敏电阻。 应力的线性分布区域为距离梁根部和端部20um的范围内。为了最大限度地同时满足传感器灵敏度与线性度要求，选择压敏电阻的放置区域为距离梁根部和端部20um。在每个电阻得放置位置处选取三条路径，分析电阻位置处的应力分布情况，求出电阻位置的平均横向应力与纵向应力值。 根据上述方法得到8个电阻位置的平均纵向应力与横向应力 4. 输出灵敏度分析 电桥的输出电压 输出灵敏度 5.横向输出灵敏度分析 分别在x、y轴向加载100g的加速度，求解惠斯通电桥的输出电压，得到x、y方向的横向灵敏度 6. 阻尼的分析与设计 在系统中添加粘滞流体，利用流体为结构提供阻尼力可以降低结构的振动幅值，避免结构因共振而损坏。 将梁-质量块结构等效为弹簧、阻尼器、质量块构成的二阶单自由度振动系统 ，如图所示。经分析，得 c k m 加速度计等效模型 阻尼的设计可以通过静电键合技术，在硅结构层的下面制作玻璃盖板实现。由流体力学的雷诺方程可知，调节质量块-玻璃盖板间距可以调节阻尼参数。 其中 因此得到阻尼比与质量块-玻璃盖板间距之间的关系，如图。 阻尼比的计算公式 综合考虑四种结构的性能要求以及工艺实现的精度要求，取质量块下底面与玻璃盖板之间的距离为2.3um。得到四种结构的阻尼比分别为0.827、0.676、0.585和0.499。 7.抗过载能力分析与设计 硅结构层包括框架、质量块和四根梁 ；下层为玻璃结构。静电键合间距为5um。以量程为100g的结构为例进行抗过载性能的仿真与分析。 当作用在结构上的加速度载荷 g时，质量块在z方向上 振动的最大位移量达到5um，起到了限位保护作用。 复合量程微加速度计结构示意图 第三阶段 工艺设计与仿真 加工复合量程微加速度计的整套工艺流程包括硅工艺流程、玻璃工艺流程和键合划片工艺流程三部分。 一、硅工艺 1、备片：N型(100)硅片 2、形成P-电阻区 3、形成P+欧姆接触区 4、第一次KOH背腔腐蚀365μm，形成背腔 5、第二次KOH背腔腐蚀5μm，减薄质量块 6、正面光刻引线孔 7、正面溅射金属铝 8、以铝为掩模，正面ICP 30um，释放结构 9、正面光刻将铝层图形化做出导线 a) 形成P-区 b) 形成P+区 c) 形成N+区 d) 第一次背腔腐蚀 e) 第二次背腔腐蚀 f) 形成引线孔 g) 铝金属引线、释放结构 P- SiO2 P+ N+ Si3N4 凹槽 Si Al 硅加工工艺流程 B离子注入，形成P-区 浓硼掺杂，形成P+区 第一次背腔腐蚀365微米 第二次背腔腐蚀5微米 正面ICP刻蚀释放结构 二、玻璃工艺与静电键合 玻璃工艺所用的材料为Plan-optik Borofloat 33玻璃，厚度为525μm。通过一次光