2.2 均匀电场中其他的击穿过程(简).pptVIP

高压电气绝缘与测试 电气0929-0931班 任课教师 罗旖旎 第二节 均匀电场中气体的击穿过程 电子崩的形成过程 汤逊理论 流注理论 所谓均匀电场，就是在电场中，电场强度处处相等，如两个平行平板电极的电场（当然还要考虑边缘效应），如图所示。 气体放电的现象与发展规律与气体种类、气压大小、气隙中的电场形式、电源容量等一系列因素有关。 但无论何种气体放电都一定有一个电子碰撞游离导致电子崩的阶段，它在所加电压达到一定数值时出现。 一、 较小时的气体放电过程 *****气体放电的汤逊理论***** 1、电子崩的形成及发展规律 各种高能辐射线（外界游离因素）引起： 阴极表面光电离 气体的空间光电离 因此，空气中存在一定浓度的带电质点。 电子崩的产生 外界游离因素在阴极附近产生了一个初始电子，如果空间电场强度足够大，该电子在向阳极运动时就会引起碰撞游离，产生一个新的电子，初始电子和新电子继续向阳极运动，又会引起新的碰撞电离，产生更多电子。 依此，电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似地发展，这种急剧增大的空间电子流被称为电子崩。 （1）碰撞游离系数—— α：一个电子沿着电场方向走向阳极1cm路程中所发生的平均碰撞游离次数。 α与气体的种类、相对密度和电场强度有关。 （2）阴极表面游离系数—— γ(gama)：一个正离子撞击阴极表面时从阴极平均逸出的自由电子数。 （3）正离子碰撞游离系数—— β：一个正离子沿电场方向行进的过程中，在1cm路程中发生的平均碰撞游离的次数。β值极小，在分析时可予忽略。在电场作用下，正离子向阴极运动，由于它的平均自由行程较短，不易积累动能，所以很难使气体分子发生碰撞游离。 2、表面游离过程及自持放电 电子崩进入阳极中和，正离子撞击阴极表面出来的电子与正离子中和，表面未游离出新电子来发展电子崩，如果此时去掉外界游离因素，放电停止。 须依赖外界游离因素才能维持的放电为非自持放电。外界游离因素消失，放电会停止。 若气隙上电场足够大，初始电子崩中的正离子在阴极上产生出来的新电子可以弥补原来发展电子崩的电子，即使没有外界游离因素的作用，放电也不会停止，这就变成了自持放电。电子崩可仅由外电场的作用而自行维持和发展。 自持放电的条件：只要至少撞击出一个自由电子，放电便可转入自持。 3、巴申定律 当气体和电极材料一定时，气隙的击穿电压是气体的相对密度?和气隙距离 d 乘积的函数，即： 上式所示规律在汤逊理论提出之前就由物理学家巴申从实验中得出，称为巴申定律。 即对应于某一 ?d ，空气间隙的击穿电压最低。即Ub具有极小值。 由巴申曲线可知，当极间距离d不变时，提高气压或降低气压到真空，都可以提高气隙的击穿电压，这一概念具有十分重要的实用意义。 4、汤逊理论的不足 汤逊理论? d较小时在实验的基础上建立的，当? d 较大时（ ? d 0.26cm）此理论不适用了，一些实验现象无法解释： 二、 较大时的气体放电过程 *****气体放电的流注理论***** 流注的形成过程 流注的条件 （自持放电的条件/间隙击穿的条件） 空间电荷对电场的畸变 (a)电子崩形状似圆形锥体。 (b)空间电荷浓度分布极不均匀，电子崩头部聚集大部分正离子和全部自由电子；电子崩内部的电场削弱了； (c)空间电荷形成的电场。正离子与自由电子接触地方电场急剧降低。 (d) 电子崩头部电场急剧增大，正离子与电子接触部分的电场被减弱，电子崩尾部电场略微加强。电场加强的地方容易发生激发现象，反激发时释放大量光子；减弱的部分易发生复合，释放光子，引发新的空间光游离辐射源。 1、电子崩空间电荷对电场的畸变作用 电子崩头部聚集大部分正离子和全部电子，产生了电场畸变； 在电场很小的区域，电子和离子浓度最大，有利于完成复合； 强烈的复合辐射出许多光子，成为引发新的空间光电离辐射源。 （1）当外加电压UUb时，空间电荷数量不足以使电场发生严重畸变，放出的光子不能引起光游离，放电不能达到自持。 （2）当U=Ub时，崩走完全程时，空间电荷恰好达到能引起空间光游离所需的值。可形成流注。 流注：正负离子构成的等离子体。 此时流注由正极（阳极）向负极（阴极）发展，所以称为正流注。 （3）当外加电压UUb时，可发展起负流注。 2、流注的形成和发展 3、自持放电的条件 流注的特点是电离强度很大和传播速度很快，出现流注后，放电便获得独立继续发展的能力，而不再依赖外界电离因子的作用，可见出现流注的条件也就是自持放电的条件。即： 主崩中的空间电荷数须达到一定的数值。 小 结 汤逊理论：电子碰撞电离是气体放电时电流倍增的