SiCP7050复合材料SiC颗粒预处理工艺研究——未保密修改版.docVIP

SiCP7050复合材料SiC颗粒预处理工艺研究——未保密修改版.doc

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SiCP/7050复合材料SiC颗粒预处理工艺研究 中南大学机电工程学院 重点实验室 湖南 长沙 410083 Cu Mg Fe Cr Mn Si Zr Ti Al 6.00 2.15 2.30 0.10 0.04 0.10 0.03 0.11 0.03 余量 表2 实验用SiC成分 C Fe2O3 SiC ≤0.25% ≤0.50% ≥98.5% 试验采用功率W(可调)、频率20.4kHz的超声波发生器 图1超声发生装置 图2 超声试验装置示意图 表3 SiCp预处理工艺及效果一览表 编号 预处理工艺 SiC中熔体中状态 Sd(%) 超声水洗 焙烧 与铝合金一起预热 1 无 无 无 SiC与铝液混合成渣状,渣状物及SiC一直漂浮在液面上 0 2 30min 1000℃×2h 800℃ 基本融入,冷却后坩埚中有少许SiC剩余 80 3 60min 1000℃×2h 800℃ 融入良好,未见有SiC剩余 100 4 无 1000℃×2h 800℃ 基本融入,但仍有SiC团聚现象 70 5 60min 无 无 基本融入 35 6 无 1000℃×2h 无 成渣状,与工艺1结果类似 0 7 无,只水洗 无 无 冷却后坩埚中有一定量SiC剩余 50 由表3可知,采用工艺3预处理过的SiC颗粒,Sd=1,说明SiC颗粒与7050铝合金熔体的润湿效果最好,且本实验情况下超声清洗时间60min,已达到优良效果,不需要再增加清洗时间。将工艺3预处理过的SiC可以通过机械搅拌分散到铝合金熔体中,炉冷。实验完成后,将铸锭切样,抛光,腐蚀,在金相仪上观察其组织结构。观察得到,SiC颗粒在铝熔体中分散良好,无团聚,与铝合金基体接触良好。 3分析 因为SiC颗粒表面物理、化学吸附的气体是阻止其分散进入金属液的主要原因[8][9],所以将各种工艺处理过的SiC颗粒进行SEM表面形貌分析,得到如图3几种工艺处理过的SiC颗粒形貌及表面状态。 工艺1 ,SEM 工艺二,SEM 工艺3 ,SEM 工艺4 ,SEM 工艺5 ,SEM 工艺6, SEM 工艺7,SEM 图3 各种工艺处理后的SiC颗粒表面形貌 结合SEM图可以得到,未处理的SiC颗粒表面粘附大量微细颗粒,这些微细颗粒容易吸附气体且会导致颗粒表面微观不平,造成SiC颗粒与铝合金熔体几乎不润湿;工艺2、工艺3处理过的SiC颗粒表面几乎没有粘附,所以润湿效果优于其他工艺;其他工艺均有一定粘附,所以润湿效果一般。综合表3的结果可以发现,SiC颗粒表面粘附情况与SiC颗粒和铝合金熔体的润湿有直接的关系,颗粒表面粘附越多,越不易于铝合金熔体润湿。 由未预处理过的SiC颗粒(工艺1)表面形貌可得,工业生产出来的SiC颗粒因表面粘附的灰尘、油污、气体层、水分、微细粒子。一般来说,这些微细颗粒、气体层等在SiC颗粒表面吸附由以下几种[10]: (1)气体及水分吸附 SiC颗粒表面吸附气体液体,主要为表面物理吸附,这种吸附在任何固气界面发生,它是无选择性吸附,即固体表面可以吸附靠近它的所有微颗粒物。微颗粒与固体表面分子间的物理吸附作用力主要为分子间吸引力,即范德华力(Van der Waals),所以通常这种吸附又称为范德华吸附,它是一种可逆过程。当固体表面分子与微颗粒分子间的引力大于其内部分子间的引力时,它们就会被吸附在固体表面。从分子运动观点来看,这些吸附在固体表面的分子是由于分子运动造成的,同时也会有分子从固体表面脱离而进入气体(或液体)中去,其本身不发生任何化学变化。随着温度的升高,气体(或液体)分子的动能增加,分子就不易滞留在固体表面上,而越来越多地逸入气体(或液体)中去,即“脱附”。这种吸附-脱附的可逆现象在物理吸附中均存在。这种吸附的特征是吸附物质不发生任何化学反应,吸附过程进行得极快,参与吸附的各相间的平衡瞬时即可达到。物理吸附通常进行得很快,并且是可逆的,被吸附的气体在一定条件下,在不改变气体和固体表面性质的状况下定量脱附。 丁文江等通过真空烘烤实验[5],得到如图4 SiC粒子释放气体的分析结果,加热到250℃左右时,SiC粒子释放的是M/e=18(M-被测物质质量,e-质子质量)的H2O分子,加热到320℃时释放M/e=2的H2分子,当加热到500℃时出现M/e=28(CO、N2)的第三个峰。 图4 SiC粒子吸附气体质量分析(QMA)曲线 比较工艺1、工艺3、工艺4 及SiC粒子吸附气体质量分析(QMA)曲线图可以得出,由于 SiC 粒子

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