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金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究.pdf

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第29卷第3期 半 导 体 学 报 V01.29No.3 SEMICoNDUCToRS 2008年3月 JoURNALOF Mar.,2008 ADiamondElectrochemical for CleaningTechniqueOrganic ContaminantsonSiliconWaferSurfaces Jianxin’,Liu Baimei,NiuXinhuan,Bian Zhang Yuling,Tan Yongchao, Ga0 HuangYanyan Baohong,and (InstituteMicroelectronics,Hebeiof 300130,China) of UniversityTechnology,Tianfin be Abstract: anion(a oxidant)canformedina water-based Peroxodiphosphatepowerful special cleaningagentthrough anelectrochemicalreactionon diamondelectrodes.Thiselectrochemicalreactionwas theoxi- boron-doped appliedduring removalof contaminationsonasiliconwafersurface,anditwasusedasthefirst in dation,decomposition,andorganic step thediamondelectrochemical effectsofDECTwere withtheRCA cleaningtechnique(DECT).Thecleaning compared thesiliconsurfacechemical thatwasobservedwith technique,including composition X—rayphotoelectronspec- cleaning andthe observedwithatomicforce measurementresultsshowthatthesiliconsur- troscopy morphology microscopy.The facecleanedDECThas less residueandlower thenew ismoreeffective by organic technique slightly micro-roughness,SO thantheRCA

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