第六章 多晶体X射线衍射分析方法.pptVIP

前 言 微束电子衍射——研究材料中亚纳米尺度颗粒、单个位错、层错、畴界面和无序结构，测定点群和空间群。 TEM中的电子衍射具有原位同时得到微观形貌和结构信息并进行对照分析的优点，在材料分析中得到广泛应用。 电子衍射在材料分析中的应用： ⑴ 物相分析和结构分析 ⑵ 确定晶体位向 ⑶ 确定晶体缺陷的结构和晶体学特征 前言 电子衍射与X射线衍射较 相同点：①以满足 或基本满足布拉格 方程为衍射必要条 件；②衍射花样大 体相似，多晶体为 一系列同心衍射圆 环，单晶体为排列 整齐的斑点，非晶 体为一个漫散的中 心圆斑。 前 言 不同点： ① 电子波波长短，θ角很小，约为10-2rad，而X射线的θ角最大接近π/2。 ②电子衍射采用薄晶样品，其倒易点沿厚度方向延伸成杆，增加了与反射球交截的机会，使得偏离布拉格条件的电子束也能产生衍射。 ③反射球半径很大，在衍射角很小的范围内，反射球面可看作一个平面，电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易平面内。　 ④原子对电子的散射比对X射线要强，电子衍射强度较大，摄取衍射花样曝光时间仅需数秒。 前言 电子衍射的不足之处： ⑴ 电子衍射强度有时几乎与透射束相当，以致两者产生交互作用，使电子衍射花样，特别是强度分析变得复杂，不能象X射线那样从测量衍射强度来广泛的测定结构。 ⑵ 散射强度高导致电子透射能力有限，要求试样薄，这就使试样制备工作较X射线复杂；在精度方面也远比X射线低。 6.1 电子衍射原理 6.1.1 布拉格定律 通常TEM加速电压为100KV~200KV，电子波波长为10-2~10-3nm数量级，常见晶体的晶面间距为10~10-1nm，代入布拉格方程2dsinθ=λ，得到 上式说明电子衍射θ角总是很小，这是电子衍射花样特征区别于X射线的主要原因。 电子衍射公式 倒易平面 正空间中的一个晶带[uvw]中所有的晶面其在倒易空间中相应的倒易点分布在一个平面内——倒易平面,记作（uvw）* 过倒易原点的倒易平面称为零层倒易平面，记作（uvw）0* 6.1 电子衍射原理 从几何意义上来看，电子束方向与晶带轴重合时，零层倒易截面上除原点以外的各倒易阵点不可能与埃瓦尔德球相交，因此各晶面都不会产生衍射，如图(a)所示。 电子衍射原理 如果要使晶带中某一晶面（或几个晶面）产生衍射，必须把晶体倾斜，使晶带轴稍微偏离电子束的轴线方向，此时零层倒易截面上倒易阵点就有可能和埃瓦尔德球相交，即产生衍射，如图(b)。 偏离矢量与倒易点扩展 实际TEM电子衍射操作是怎么样？ 在电子衍射操作时，即使晶带轴和电子束轴线严格重合（即对称入射）时，仍可使g端点不在反射球面上的晶面产生衍射。即，在入射束与晶面夹角和精确布拉格角θB存在偏差Δθ时，衍射强度变弱但不为零。 衍射晶面位向与精确布拉格条件的允许偏差（以仍能得到衍射强度为极限）和样品晶体的形状、尺寸有关。 偏离矢量与倒易点扩展 实际晶体的倒易阵点沿着晶体尺寸较小的方向发生扩展，扩展量为该方向实际尺寸的倒数的2倍。 偏离矢量与倒易点扩展 以倒易杆为例：在偏离布拉格角±Δθmax范围内，倒易杆都能和球面相交截而产生衍射。 偏离Δθ时，倒易 杆中心至与反射球 面交截点的距离用 偏离矢量S表示。 偏离矢量与倒易点扩展 Δθ为正时，S矢量为正；反之为负。精确符合布拉格条件时， Δθ=0，S=0。 偏离布拉格条件时，产生衍射条件为： 偏离矢量与倒易点扩展 偏离矢量与倒易点扩展 如果电子束不是对称入射，中心斑点两侧和衍射斑点的强度将出现不对称分布。由偏离矢量和衍射强度曲线可知，在±Δθmax范围内，衍射斑点的位置基本不变，强度变化很大。 偏离矢量与倒易点扩展 薄晶电子衍射时，倒易阵点延伸成倒易杆是获得零层倒易截面比例图象（即电子衍射花样）的主要原因，即尽管在对称入射条件下，倒易点阵原点附近扩展的倒易点也能和反射球相交，得到中心斑点强而周围斑点弱的若干衍射斑点。 其他一些因素也能促进电子衍射花样的形成，如电子波波长短，使反射球在小角度范围内球面接近平面；加速电压波动，使反射球面有一定厚度；电子束有一定发散角度等。 电子衍射基本公式 6.1.3电子衍射基本公式 电子衍射操作是把倒易阵点的图像进行空间转换并在正空间中记录下来。 电子衍射基本公式 样品放置在O点，电子束沿k方向入射，（HKL） 晶面满足衍射条件，衍射束方向为k’，gHKL为相应倒易矢量。在距离样品L处放置底片记录衍射花样。k形成中心斑O’，k’形成衍射斑P’，它实际上是gHKL的端点GHKL在底片上的投影。R为O’到P’点距离。 电子衍射基本公式 由于θ角很小， ，得到 电子衍射基本公式 由公式可知，衍射斑点到中心斑点的距离R就是产