m5358替代rm6224d.docVIP

M5358 概述 M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯片，,内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机功耗，低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构，推荐应用于功率27瓦以内的各种变换器。 M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能，包括逐周期电流限制（OCP）,过载保护(OLP),VDD电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电路具有抖频功能以及软开关技术，保证了优秀的EMI性能，消除了低于20KHz的音频噪声。M5358采用DIP8封装。 特点 应用 开关软启动可降低MOSFET的VDS压力 ■ 离线式AV-DC反激变器 改善EMI的频率抖动技术 ■ 手机充电器，上网本充电器 极低启动电流和工作电流 ■ 笔记本适配器，机顶盒电源 改善效率和待机功率最小化的扩展burst模式 ■ 各种开放式开关电源 消除音频噪声 50KHZ开关频率 完善的各种保护以及自恢复功能 逐周期电流限流 芯片供电欠压保护 自动重启功能 采用DIP-8 封装 典型应用电路图： 输出功率表 说明:连续工作的最大功率是在开放的 50 度环境中，且转换器有有足够的散热条件下测得。 定购信息： 最大极限参数 ： 注：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能 正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能 指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精 度，但其典型值合理反映了器件性能 电气参数 （无特别说明情况下，VCC=16V, TA=25℃） 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 工作电压 I_start up VDD 启动电流 VDD=14.5V 5 20 uA I_VDD_Operation VDD 工作电流 V_INV = 3V 1.6 mA VDD_UVLO(ON) VDD 欠压保护（开启） 8.7 9.7 10.7 V VDD_UVLO(OFF) VDD 欠压保护（关闭） 14.6 15.8 17.0 V OVP（ON） VDD 过压保护（开启） CS=0V,INV=3V, 增 大 VDD 直到 GATE 时钟关闭 27 28.5 30 V VDD_Clamp VDD 钳位电压 IDD=10mA 30 V INV 反馈 VINV_OPEN INV 开环电压 5.4 5.7 6 V IINV_Short INV 短路电流 INV 接到地 1.45 mA VTH_OD 过零点门槛电压 0.8 V VTH_PL 功率限制门槛电压 3.7 V TD_PL 功率限制延迟时间 50 m Sec ZINV_IN 输入阻抗 4 K ohm 电流采样 Soft_start_time 软启动时间 4 m S T_blanking 电流采样前沿消隐时间 270 n s Z SEN_IN 输入阻抗 40 K ohm TD_OC 过电流检测迟滞时间 从过流开始到驱动 信号关闭 120 n s VTH_OC 内部电流限制门槛电压 0.72 0.77 0.82 V 时钟 F_osc 正常振荡频率 45 50 55 KHZ Δ f_Temp 频率温飘 5 % 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 Δ f_VDD 频率电压调整率 5 % D_MAX 最大占空比 V_INV=3.3V ， CS=0V 70 80 90 % F_Burst Burst 模式基准频率 22 KHZ 功率 MOS BVdss 功率管击穿电压 600 V R ds_on 功率管导通阻抗 静态 Id=1.0A 4.4 5.5 Ω 频率抖动 Δ f_osc -4 4 % 注4：典型参数值为25?C下测得的参数标准。 注 5：规格