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n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制 张继荣 殷海丰 佟丽英 刘锋 赵光军 中电集团第四十六研究所,天津 300220 摘要 通过不同工艺的拉晶实验 发现晶转 拉速 热对流等因素对高阻n 111硅单晶径向电 阻率均匀性有所影响 采用水平磁场拉晶工艺 通过提高晶转 增大拉速 减小热对流等 可有效提高 硅单晶径向电阻率均匀性 关键词 硅单晶;电阻率;均匀性;磁场强度 中图分类号 TN304.053 文献标识码 A 文章编号 _ ofn ZHANG Ji-rong,YIN Hai-feng,TONG Li-ying,LIU Feng,ZHAO Guang-jun (The 46th Research Institute,CETC, Tianjin,300220,China) Abstract:With experiments of highresistancen111 n111 . Key words: 内 采用改进的磁场拉晶工艺 电阻率不均匀性可 1 引言 控制在 10%以内 高阻n型 111硅单晶被广泛用在功率器件 方面 近年来许多功率器件厂家为提高成品率 对 2 实验 硅单晶的电阻率径向均匀性提出了更为严格的要 实验1 求 普遍要求n型 111 100mm硅单晶片的 采用TDR-70B单晶炉 300mm热场 拉制n 电阻率不均匀性小于15%有的单位甚至要求小于 型 111电阻率38~55cm 100mm硅单晶 10%n 111晶向硅单晶生长过程中 易出现 晶转为1525r/min埚转为6 r/min初始提速为 111小平面 存在小平面效应 由于磷的分凝 1.41.6mm/min拉制4棵电阻率38~55cm 系数小 使得其径向电阻率均匀性较差 出现中心 硅单晶 编号分别为70-170-270-370-4 低周围高的现象 影响器件局部电性能 对器件参 实验2 数的一致性产生不良影响 采用普通工艺拉制高阻 采用TDR-70B单晶炉 配备水平磁场 300mm n型 111 100mm电阻率在38~55㎝硅单 热场 拉制n型 111电阻率38~55cm 晶 电阻率径向不均匀性在20%左右或更高 采 100mm硅单晶 磁场强度分别为600 A/m800 用提高晶转速度 增加拉速等 可以使电阻率径向 A/m1000A/m拉速为1.4mm/min,晶转为15r/ 不均匀性控制在15%~20%而采用一般的磁场拉 min拉制4棵单晶 编号分别为M70-1M70- 晶工艺 可使硅片电阻率不均匀性控制在15%以 2 M70-3M70-4 74 半导体技术第29卷第9期 二OO四年九月 在拉制出的单晶电阻率合格部分头尾各取一样 其中 为硅片中心测得的两次电阻率平均值 c 片 经过退火 消除氧施主效应后 按GB11073-89为硅片半径中点或边缘6mm处测得4个电阻率平 a 的硅片径向电阻率变化的测量方法 测量电阻率径 均值 向不均匀