Simulation of a DoubleGate Dynamic Threshold Voltage Fully Depleted SilicononInsulator n.pdfVIP

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2015-09-26 发布于重庆
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Simulation of a DoubleGate Dynamic Threshold Voltage Fully Depleted SilicononInsulator n

第 27 卷　第 1 期半　导　体　学　报 Vol . 27 　No . 1 2006 年 1 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J an . ,2006 Simulation of a DoubleGate Dynamic Threshol d Voltage Fully Depleted Sil icononInsulator nMOSFET Bi J in shun , Wu J unf en g , an d Hai Chao he ( I ns t i t ute of M icroelect ronics , Chi nese A ca demy of S ciences , B eij i ng 　100029 , Chi na) Abstract : A novel p lanar D GD T FD SO I nMO SF E T i s p resent ed ,and t he op eration mechani sm i s di scu ssed . The de vice fabrication p rocesses and charact eri stics are simulat ed wit h Tsup rem 4 and Medici . The backgat e nwell i s formed by imp lant ation of p ho sp horu s at a do sage of 3 ×1013 cm - 2 and an ener gy of 250keV and connect ed directly to a f rontgat e n + poly silicon . Thi s met hod i s complet ely comp atible wit h t he conventional bulk silicon p rocess. Simula tion result s show t hat a D GD T FD SO I nMO SF E T not only ret ain s t he advant ages of a conventional FD SO I nMO S F E T over a p artially dep let ed ( PD) SO I nMO SF E T ———t hat i s t he avoidance of anomalou s subt hreshold slop e and kink effect s but al so show s a bett er drivabilit y t han a conventional FD SO I nMO SF E T . Key words : doublegat e st ruct ure ; dynamic t hreshold ; FD SO I ; nMO SF E T EEACC : 2560 CLC number : TN 386 . 1 　　　Document code : A 　　　Article ID : 02534 177 (2006) 0 1003506 source/ bo dy j unctio n . It i s har d to exp an