微纳体系的电磁输运的研究.pdf

微纳体系的电磁输运研究 中义捅要 中文摘要 在这篇论文中，我们应用无规网络模型和非平衡格林函数的第一性原理方法研究 微纳体系的电磁输运性质：探讨了微纳体系的尺寸对电磁输运的影响；理论上研究设 计输运通道微结构构型以增强磁电阻的可能性；详细研究了一维多层磁性分子的自旋 输运，分析了分子末端基团和磁性电极的接触效应以及分子尺寸对自旋过滤效应的作 用和调控等。主要工作如下： 我们将无规熔丝网路模型引入锰氧化物微纳样品电输运过程的研究，很好地解释 了这类空间受限体系展现的多步负微分电阻效应。我们应用熔丝被自身焦耳热熔断的 过程来模拟弱链接的破坏过程。当电阻网络的无序度较强时，由于电导的宽分布导致 电流向电导较大的部分汇集，形成类似逾渗阈值附近的输运通道结构。一般的电阻网 down 络的Kirchhoff迭代模拟会出现临界变缓(cfificalCSD)现象，导致计 slowing 算困难。我们借鉴了专用于解决二元电阻网络逾渗行为的算法，通过 枝丫悬挂键，所得系数矩阵以row-indexedcompact storage进行储存，并采用 method求解，从而大大提高了运算的速度和精度，使有缺陷以 gradient biconjugated 及电导宽分布情况下输运网络的模拟成为可能。我们先计算外加熔断电压来探讨无序 度对熔断特性的影响，发现弱无序的熔丝网络对应着雪崩的熔断过程，而强无序的熔 丝网络却对应着逐渐熔断的过程。其次，我们在强无序的小网络伏安特性中重现了多 步负微分电阻效应，并通过电流形貌图演化过程揭示了焦耳热导致的逾渗电流路径的 变化过程。最后，我们还研究了网络尺寸对多步负微分电阻效应的影响，发现在固定 电导无序度时网络尺度增加可以逐渐抹平多步负微分电阻效应。进一步，应用￡／∥(L 为网络尺寸，茁为电导无序度，y为关联长度)作为网络无序度强弱的判断依据，我 们发现多步负微分电阻总是出现在三／∥1的强无序区域。这些表明，此类负微分电 阻效应是小尺寸强无序微纳体系带有普遍性的特征。 以分形网络为基础，我们讨论了输运通道微结构对磁输运过程的影响。通过直接 中文摘要 微纳体系的电磁输运研究 迭代过程生成分形网络。我们计算网络的整体磁电阻和不同配位数的格点间链接对体 系磁电阻的贡献，考察了磁电阻分布曲线随尺寸变化的进化过程。计算结果表明，即 使在较大的体系中，磁输运网络的有限尺寸效应也是很重要的。目前被普遍采用的准 一维路径近似与实际偏离较远，因此逾渗通道的微结构对磁电阻性质的影响必须加以 考虑。磁输运网络中的多链接集团对整个网络磁电阻的影响也明显依赖于输运通道的 结构。对于大尺寸系统，这些效应一般可能被平均效应掩盖；对于小尺寸系统，如微 纳尺度的磁电阻材料，磁无序导致的磁电阻涨落明显表现出结构相关性。我们对比了 Koch分形网络和对应的单链接一维串联结构，发现基于Koch曲线的磁输运网络中 loop的加入所起的作用是两重的：对于高代的较大尺寸的体系，loop的加入使得Koch 分形的磁电阻概率分布展宽，并使其峰值向低磁电阻方向移动：对于连接数少于50 的低代小尺寸体系，loop的加入反而抑制了磁电阻在低值区的分布，使得磁电阻的分 布变窄。我们通过对几种分形网络磁电阻的系统分析，说明了输运通道微结构设计的 重要意义，“好”的输运通道构型可以明显改善磁电阻效应。 我们应用密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理计算，研究了分子基团和 电极的接触效应对于一维磁性分子器件的自旋过滤的作用。我们选取已经合成的具有 对象，以镍为电极组成两电极分子器件模型。首先，我们计算了不同末端基团顶位吸 附的两电极体系的电子透射谱图、费米面的线性响应电导以及自旋过滤效应。我们发 现磁性金属末端基团接触带来较高的自旋过滤效应，不同的末端基团还可以获得不同 方向的自旋过滤效应。我们应用自旋输运的双通道模型分析了分子末端基团和电极轨 道的不同强度的耦合。我