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光刻技术的现状及未来发展 Lithography technology status and future development 作者：岳雯莹（Vivienne Yue） 单位：西安电子科技大学微电子学院 学号邮箱:yuewenying2003@ 摘要:光刻技术作为集成电路制造最重要的工艺之一，备受瞩目地发展了30年，已达到了一定的水平，也面临了一些问题。那么，今后的若干年后，它会有着什么样的发展呢？ 关键词：光刻技术（Lithography technology）；分辨率增强技术（Resolution-enhancement）；X射线光刻（X-ray Lithography），极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），电子束投影光刻（E-beam Lithography）。 引言：光刻技术作为IC制造中最重要的工艺，它不仅决定着芯片的最小特征尺寸，还占据着制造成本的30﹪，可见在IC制造中，光刻技术有着弥足轻重的地位，在半个世纪以来，光刻技术不断进步为整个产业的发展提供了最为有力的技术支撑。历经50年，集成电路已经从上世纪60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件。在摩尔定律的指引下，半导体技术的集成度每3年提高4倍。 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，一方面在过去的几十年中发挥了重大作用；另一方面，随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等，寻找解决技术障碍的新方案，去支持产业的进步显得非常紧迫。 一．光刻技术的重要地位 所谓光刻技术指的是集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因如果没有光刻技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。光波长缩短的速度跟不上规模缩小速度??? 了解了这些指标，我们就可以从这些指标来了解光刻技术自1990年到现在的发展进程: 年代 NA κ λ/nm R/μm 曝光面积/nm*nm DOF/μm 1990 0.50 0.70 365 500 20*20 1.5. 1995 0.60 0.60 248 250 20*22 1.0 1999 0.70 0.50 248 180 26*34# 0.6 2002 0.70 0.45 248/193 150/130 26*34# 0.5 2005 0.75 0.40 248/193 130/100 26*34## 0.4 2008 0.80 0.35 193/157 80/70 26*34## 0.3 2012 0.80 0.35 157 50 0.3 三．下一代光刻技术 ???世界各大公司根据这一现状都采取了新的 “分辨率增强（Resolution-enhancement）技术，比如光学邻近校正、相移光刻掩模和沉浸式光刻技术，在32nm节点得到了采用。但即使采用了这些增强技术，布线约束，比如单向性特性，删格布线和约束线加上空间整合也不得不被逐渐的采用。”???? ? 为了让摩尔定律的神话继续书写下去，为了解决光刻技术目前遇到的瓶颈 ，下一代光刻技术正在备受关注的研制中，这其中包括X射线光刻，极紫外光刻，电子束投影光刻，纳米印制光刻等，就这几种技术我们来从下图中详细了解： 下一代光刻技术 EUVL XRL 纳米压印技术 EBL 基本原理 4倍缩小扫描投影， 约80层Mo-Si结构 多层膜，激光等立 体光源 1倍X射线接近式 投影光刻，1X掩 模 加热聚合物/自外 曝光，印章压印， 合物固化 电子束曝光光刻，热致发射源和场致发射源 前景 分辨率：100nm 延伸至30nm以下 应用领域：ULSI 分辨率：100nm掩膜 至40nm 应用领域：ULSI， GaAsIC，MEMS。 分辨率：100nm 延伸至5nm以下 应用领域：ULSI， 纳米加工，MEMS 分辨率:小于100nm 应用领域：MEMS，纳米加工，单电子器件 重大课题 无缺陷反射式掩模， 多层膜，光源功率， 真空环境。 大面积平行电子束， 1X掩模 大面积压印模版的 制作，压印过程平 整度 光刻速率 ① 电子束光刻（EBL） 电子束光刻具有极高的分辨率，甚至可以达到原子量级，由电子束光束曝光制作的最小尺寸可以达到10-20nm，当电压高达100KV时，电子束曝光计制作出1-2nm的单电子器件。电子束曝光机是无膜直写型，但是由于电子束是扫描成像型的，因此它的生产率极低，现在的发展前途就是与光学光刻的混合匹