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直拉法晶体生长晶体控制研究

直拉法晶体生长晶体形状控制算法研究 王岩 西安理工大学, (710048) E-mail:wangyanxiangtan@ 摘要:基于Bardsley方程设计了直拉法晶体形状控制算法,对于称重反馈的自动控制系统, 比较形状给定晶体模型重量和传感器测量的实际晶体重量,偏差作为PID控制器输入。应用 上述算法编制程序并应用于 YAG 晶体生长自动控制系统中,生长的晶体直径偏差仅为 ±0.5mm。 关键词:形状控制;直拉法;晶体生长 1. 引言 为了生长高质量的晶体,必须开发具有自动调节生长过程的先进晶体生长装置,生长的 晶体质量很大程度上取决于晶锭圆锥剖面轮廓、晶锭生长期望直径和晶锭圆锥外形,因此, 目前设计了各种各样的自动控制系统用于实现晶体生长各个阶段完整的形状控制。对于高熔 点氧化物,最普遍的形状自动控制系统由晶体的重量控制和高频感应加热电源功率调节组 成。 Bardsley 等 【1】提出方程(1)如下所示,可确定称重传感器记录的晶体重量: t 2 2 2 W(t) ρ gπ R (t)V (t)dt +ρ gπR (t)h(R ,θ) +ρ gπa R (t) cosθ(t), s ∫ C l l (1) 0 θ(t) ε+α(t) 其中W (t) 是称重传感器记录的晶体重量,ρ 和ρ 分别是晶体和熔液密度,R 和R (t) 表示 l s a ε 晶体和坩埚直径, 、 、α(t) 和θ(t) 分别表示毛细常数、生长角、熔液表面张力系数和 弯月面侧面倾角,V (t) 和h(R ,θ) 分别表示结晶速率和弯月面高度。方程(1)第一项对应于 C 生长的晶体重量,第二项和第三项确定高度为h 弯月面重量。 弯月面高度与晶体直径和生长角密切相关,Tsivinskiǐ公式 【2】确定了弯月面的高度 如下所示: - 1 - a 2 cos2 θ 1/ 2 a 2 cosθ h(R ,θ) a(1−sinθ+ 2 ) − , 16R 4R (2) 2σ l 1/ 2 a ( ) ρl g 其中σ 是熔液表面张力系数。 l 众多文献中设计了基于方程(1)的生长控制系统,【3】在假定生长的晶体为圆柱形 (α(t) 0 )的前提下实现了晶体直径的自动控制,Wilde 和 Feigelson【3】求方程(1)的微 分,忽略了描述弯月面动态特性的项,得到称重传感器测得的晶体重量与晶体直径的关系如 方程(3): • W(t) ρ gπR 2 (t)V (3) s C 然而,本控制方法不适用于给定晶体外形为圆锥的晶体生长。 晶体剖面轮廓提前预置的晶体生长 自动控制方法需要比较称重传感器测得的实际晶体 重量和计算得到的晶体模型重量。【4,5】提出了迭代法计算基于方程(1)的晶

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