含Eu络合物掺杂的PMMA光致发光薄膜的制备与表征.pdfVIP

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2015-09-29 发布于湖北
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含Eu络合物掺杂的PMMA光致发光薄膜的制备与表征.pdf

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含Eu络合物掺杂的PMMA光致发光薄膜的制备与表征.pdf

· 86· 材料导报B：研究篇含Eu络合物掺杂的PMMA光致发光薄膜的制备与表征。强1’2’3 易松1’2，杨永兵2，杨廷海2，李锦春1，陈 (1常州大学材料科学与工程学院，常州213164；2南京大学常州高新技术研究院，常州213164； 3南京大学化学化工学院，南京210093) 摘要致发光性能，主要荧光激发峰位于380nm，主要荧光发射峰位于613nm，络舍物Eu(恸M)。(Phen)，掺杂量从 o．8％增加到1．2％时，薄膜的荧光发射强度呈持续增强趋势，在613nm波长处发射强度增强了13倍。关键词光致发光稀土薄膜中图分类号：TQ325．7 文献标识码：B andCharacterizationofPhotol硼minescentPMMAFilm Preparation with Eu Doped C0mplex YI Jinchunl，CHEN Son91～，YANGYongbin92，YANGTinghai2，LI Qian912，3 of (1 SchoolMaterialsScienceand 213164； Enginee“ng，Char蟮zhouUniversity，Changzhou 2 Institute Research of ChangzhouHig卜tech NanjingUniversity，Changzhou213164； 3 Sch001of and Ch眦ical 210093) Chemistry Engineering，NanjingUniversity，Nanjing AbstmctA with Eu(MDBM)3(Phen)，was complex prepared and characterizedIR，UVandFS(fluorescence was phenanthr01ine(Phen)，andby spectroscopy)．Thecomplexdoped into toobtain order PMMAfilrrLTheresultshowsthatthis p01ymethylmethacrylate(PMMA)inphotoluminescent filmhad main fluorescenceexcitationwasat380nm，mainfluores—