图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展.pdfVIP

趋势与展望 TrgmlsandOutlook DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．06．002 图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展 周仕忠，林志霆，王海燕，李国强 (华南理工大学材料科学与工程学院，广州510640) 摘要：蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底，经过不断发展，在克服其与GaN闻晶格 失配和热膨胀失配问题上，研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术，除了 能减少生长在蓝宝石种底上GaN之间的差排缺陷，提高磊晶质量以解决失配问题，更能提高 LED的出光效率。从衬底图形的形状、尺寸、制备工艺出发。回顾了图形化蓝宝石衬底GaN基 LED的研究进展，详细介绍了近年来关于图形化衬底技术与其他技术在提高LED性能方面的结 合，总结了图形化蓝宝石衬底应用于大尺寸芯片的优势，并对其未来在大功率照明市场的应用进 行了展望。 关键词：蓝宝石；图形化衬底；发光二极管(LED)；GaN；制备工艺 中图分类号：TN304．2文献标识码：A Research ofPatterned SubstrateforGaN-Based progress Sapphire Diodes Light-Emitting Zhou Shizhong，LinZhiting，WangHaiyan，LiGuoqiang and China (蹴。。lofMaterial拓MeEngineering，．South o／Technology，Guangzhou510640，China) University substrate isused髂afundamental Abstract：Nowadays．thepatternedsapphire technology toovercomethematerialstressthattheresultsfromacombinationoflatticemismatchand technology thermal coefficient achieves mismatch，and diodes(LED)．This expansion highefficiencylightemitting article reviewsrecent of substrateforGaN·basedLEDs．Itstaffs briefly developmentpatternedsapphire withanintroductiontO the ofGaNon substrateanda numberofnew epitaxialgrowth sapphire to with influencesof createLEDs enhanced uniformed technologies performance．The shapedpattern， na／lOsized andthe met