45GHZ高线性功率放大器设计.pdfVIP

2.45GHz高线性功率放大器设计 * 赵明付，孙玲玲 ，文进才，康劲 (杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江 杭州 310018) 摘要：本文基于 SMIC 0.18um RF-CMOS 工艺，以 Agilent-ADS 为仿真平台实现了一种工作于2.45GHz功率放大器的设 计，仿真结果表明 ADS 软件在建模和仿真分析方面表现出很好的性能。电路采用两级放大的结构，分别采用自偏置技术和 电阻并联负反馈网络来缓解 CMOS 器件低击穿电压的限制，同时保证了稳定性的要求。为了提高线性，采用了一种集成的二 极管线性化电路对有源器件的输入电容变化提供了一种补偿机制，漏端的 LC 谐振网络和优化的栅偏置用来消除由 gm 产生的 非线性谐波。电源电压3V时，功率放大器功率增益为23dB，输出1dB压缩点约为25dBm，对应的功率附加效率PAE可达35%。 关键词： CMOS；Agilent-ADS；功率放大器；线性；射频集成电路 1 引言 2 线性分析 近年来，随着无线通信技术的迅速发展，对全 为了提高功率放大器的线性，一些线性化技术 集成、高性能、低成本无线发射机的需求变得越来 像前馈、反馈、预失真等相继提出，可是它们不仅 越大。而随着 CMOS 特征尺寸的不断减小，晶体管 不易实现而且还难以集成化。所以本文采用了易集 的特征频率越来越高，可以提供更高的增益和更好 成且几乎不消耗额外直流电的二极管线性化技术来 的噪声性能，并具有高集成度、低功耗、低成本、 提高线性度，增益压缩和相位失真都得到了改善。 能够和基带数字电路相兼容的特点，从而最终实现 下面从 AB 类放大模式的非线性模型进行阐述。 片上系统集成(SOC ）。而发射机系统中的一个关键 模块是射频功率放大器，从功耗方面考虑，功率放 大器的功率损耗在发射机的总功耗中占有很大比 例，因此实现高输功率、高效率、高集成线性化 的功率放大器显得尤为重要。但对于射频功率放大 器而言，特征尺寸的减小，使得晶体管的耐压能力 也急剧下降，使得采用先进的 CMOS 工艺实现集成 图 1 AB 类放大器的非线性模型[6] 化功率放大器面临着低击穿电压、低功率增益和大 Fig. 1 Nonlinearity model of Class AB power amplifier 的衬底损耗的压力和挑战。 假设 Cgd 远小于 Cgs ，并忽略了栅电阻，则放大 本文采用 AB 类放大模式设计了一个高输出功 器的输入电阻近似为[6] ： 率、高线性、高效率的放大器。采用了自偏置技术 Z 1 1 (1) [1]和电阻并联负反馈网络来缓解 CMOS 器件低击穿 in jwC in jw (C gs +(1 +A )C gd ) 电压的限制，并保证了稳定性的要求，同时在功放 其中 A 为放大器的电压增益。而 Vgs 与 Vin 的关系 输出级采用了厚栅器件提高了输出功率[2] ；为了提 如下式： 高线性，采用了一种集成的二极管线性化电路对有 V Z in V (2) 源器件的输入电容变化提供了一种补偿机制[3]，LC g s Z in + Z s in 谐振网络和优化的栅偏置用来消除由 gm 产生的非 由(2)式可知，Vgs 随着 Vin 的增加而逐渐上升 线性谐波[4,5] 。 的，但是在AB 类放大模式下，Zin 并非一个固定常