pMOSFET的NBTI退化机理及内在影响因素.pdfVIP

第45卷第4期 东南大学学报(自然科学版) V01．45No．4 JOURNAL Science 2015 2015年7月 OFSOUTHEASTUNIVERSITY(NaturalEdition) July doi：10．3969／j．issn．1001—0505．2015．04．009 张春伟1 刘斯扬1 张 艺1 孙伟锋1 苏 张爱军2 刘玉伟2 胡久利2 何骁伟2 (1东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京210096) (2华润上华科技有限公司，无锡214028) 摘要：研究了P型MOSFET的NBTI效应退化机理，以及栅氧化层电场和沟道载流子浓度对 试，并利用TCAD仿真软件对测试结果进行分析，结果表明该器件的NBTI退化主要由其沟道区 的界面态产生引起，而电荷注入的影响相对可以忽略．然后，通过施加衬底偏置电压的方法实现 了增加器件栅氧化层电场但保持沟道载流子浓度不变的效果，进而研究了栅氧化层电场和沟道 载流子浓度2个内在因素分别对NBTI退化的影响．最后，通过对比不同栅极电压和不同衬底偏 应主要由器件的栅氧化层电场决定，沟道载流子浓度对器件NBTI效应的影响可以忽略． 关键词：负偏温度不稳定性；衬底偏置效应；栅氧化层电场；沟道载流子浓度 中图分类号：TN386．1文献标志码：A NBTI mechanismanditsinfluencefactorsfor degradation ChunweilLiu Yil Sun SuWei2 Zhang Siyan91 Weifen91 Zhang LiuYuwei2HuJiuli2He ZhangAijun2 Xiaowei2 ASIC National Research (1 SystemEngineeringCenter，Southeast 2100％，China) University，Nanjing (2CSMCTechnologyCompany，Wuxi214028，China) bias mechanismandtheinflu— Abstract：The negativetemperatureinstability(NBTI)degradation encesofthe oxidefieldandthechannelcarrier ontheNBTIare fora gate density investigatedP—type metallicoxidesemiconductorfieldeffect interface induced transistor(MOSFET)．First，the damages theNBTI aremeasured stresses the