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一种具有高稳定性的带隙基准电路

第 37 卷第 3 期 微 电 子 学 Vol37 , No . 3 2007 年 6 月 Micr oelect r onics J un2007 一种具有高稳定性的带隙基准电路 宋  晶 , 刘诗斌 , 张  勇 , 谭慧宇 (西北工业大学 电子信息学院 , 陕西 西安  7 10072)   摘  要 :  针对基极发射极电压与温度呈非线性关系的问题 ,设计了一种高阶温度补偿方法 :通过 在 P TA T 产生电路的基极引入一个小电阻 ,在基准电压中迭加一个温度的指数函数 , 以达到消除 高次项的目的。针对电源电压变化的问题 ,在保留传统带隙基准反馈回路的基础上 ,提出了一种钳 位互补补偿方法 ,通过稳定偏置电流来降低电源变化对基准的间接影响 。文中给出了详细的分析 和电路实现 。该电路通过 H sp ice 验证 ,温度系数仅为 1. 43 pp m/ ℃,并具有 0 . 105 mV/ V 的电源 抑制特性及直流 P SRR = 65 dB 的高电源抑制比。 关键词 :  带隙基准电路 ; 温度补偿 ; 电源抑制比; 负反馈回路 中图分类号 :  TN 43 1. 1       文献标识码 :  A        文章编号 (2007)   Bandgap Ref erence Circuit with Curvature Compensation and High PSRR SON G J ing , L IU Shibin , ZHAN G Yong , TAN Huiyu ( ) Col leg e of E lect ronics an d I nf orm at ion , N ort hw es tern Poly technical Uni vers ity , X i ’an , S haanx i 7 10072 , P. R . Chi na   Abstract :  Accor ding to t he nonlinear relation ship between ba seemitt er volt age ( VB E ) and t emp erat ure , a higher or der t emp erat ure comp en sation met hod i s p ropo sed , in which a small resi stor i s added in t he P TA T (p roportional to ab solut e t emp erat ure) circuit to obt ain an exponential segment , in or der to rectify t he higheror der t emp erat ure coefficient . Meanwhile , a new bia s current comp en sation met ho d , clamping complement ation t echnolo gy , i s p ut for war d to obt ain more st able outp ut volt age . H spice simulation show s t hat t he average drift of t he circuit i s merely 1. 43 pp m/ ℃f rom - 40 ℃to 1

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