背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器的i-GaN和p-GaN厚度设计.pdfVIP

第36卷 第9期 发 光 学 报 Vol.36 No.9 2015年9月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Sept. ,2015 文章编号:1000-7032(2015)09-1034-07 背照射和正照射p-i-n结构 GaN紫外探测器的 i-GaN和p-GaN厚度设计 1* 1 2 周 梅 , 李春燕 , 赵德刚 (1. 中国农业大学理学院应用物理系,北京 100083; 2. 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室,北京 100083) 摘要:研究了i-GaN和p-GaN厚度对背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器响应光谱的影响。 模拟计 算发现:对于背照射结构,适当地减小i-GaN厚度有利于提高探测器的响应,降低i-GaN层的本底载流子浓度 也有利于提高探测器的响应;p-GaN的欧姆接触特性好坏对探测器的响应影响不大,适当地增加p-GaN厚度 可以改善探测器性能。 而正照射结构则不同,i-GaN厚度对探测器的响应度影响不大,但欧姆接触特性差将 严重降低探测器的响应,适当地减小p-GaN厚度可以大幅度改善探测器的响应特性。 能带结构和入射光吸 收的差别导致了正照射和背照射探测器结构中i层和p层厚度的选择和设计不同。 关 键 词:GaN;p-i-n结构;紫外探测器;量子效率 中图分类号:TN304.2 文献标识码:A DOI:10.3788/ fgx1034 Effects and Design of i-GaN and p-GaN Layer Thickness on The Back-illuminated and Front-illuminated GaN p-i-n Ultraviolet Photodetectors 1* 1 2 ZHOU Mei ,LI Chun-yan ,ZHAO De-gang (1. Department of Physics,ChinaAgriculture University,Beijing 100083,China; 2. StateKey Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,ChineseAcademy of Sciences,Beijing 100083,China) *Corresponding Author,E-mail:mmmzhou@126.com Abstract:The effects of i-GaN and p-GaN layer thickness on the spectral response of back-illumi- nated andfront-illuminated GaNp-i-n structureultravioletphotodetectorswereinvestigatedby theory calculation. Fortheback-illuminatedp-i-nphotodetectors,thedevicequantumefficiencycanbeim- proved by both suitably decreasing the thickness of i-GaN layer and increasing the thickness of p