- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
巧识晶体管场效应管电路符号的意义
第二十卷第三期 楚 雄 师 范 学 院 学 报 Vo l20 No3
2 0 0 5 年 6 月 JOURNAL OF CHUX ION G NORMAL UN IV ER SITY Jun2005
巧识晶体管 、场效应管电路符号的意义
李家旺
(楚雄师范学院 , 云南 楚雄 675000)
摘 要 : 本文通过研究晶体管、场效应管电路符号 , 揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义 。并引导学生应用这些
结论 : 一方面 , 准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类 ; 另一方面 , 准确画出给定类型的晶体管、场效应管
对应的电路符号 。期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助 。
关键词 : 晶体管 ; 场效应管 ; 意义
中图分类号 : TN 文章标识码 : A 文章编号 : 1671 - 7406 (2005) 03 - 0 129 - 04
准确识别电路符号所对应的晶体管 、场效应管的种类 , 是学习有关晶体管 、场效应管的理论必备
的基础知识和技能 。例如 : 看到电路图上的晶体管 、场效应管的电路符号 , 就需要准确地辨别出是晶
体管还是场效应管 , 是 N PN 型还是 PN P 的晶体管 , 是 N 沟道还是 P沟道 , 是结型还是 MO S型的场效
应管 , 是增强型还是耗尽型的 MO S型的场效应管 。这些问题许多同学感到很难掌握 , 似乎弄清这些
问题无规律可循 , 无耐之下只好采用死记硬背来学习 , 结果 , 一方面 : 往往是今天记清楚了 , 几天以
后又混淆了; 另一方面 : 对这些知识也没有深刻理解 ; 本文通过归纳总结发现了半导体的命名及晶体
管 、场效应管电路符号的箭头方向与上述问题之间的内在联系 。利用它 , 学生只要记住很少的结论 ,
就可以轻松地掌握上述问题 。
半导体的命名 : P 型、N 型半导体 。本征半导体 : 本征激发使半导体内部成对地出现了电子和空
穴 , 电子和空穴的数 目相等且数 目都是很少的; N 型半导体 : 将微量五价元素 , 例如磷 ( P) , 掺入
单晶硅中 , 导致电子成为这类半导体的多数载流子 , 而空穴成为少数载流子 , 这类半导体称为 N 型
半导体 ; P 型半导体 : 将微量三价元素 , 例如硼 (B ) , 掺入单晶硅中 , 导致空穴成为这类半导体的
多数载流子 , 而电子成为少数载流子 , 这类半导体称为 P型半导体 。对于 P、N 型半导体关键是要分
清楚哪种类型的半导体的多数载流子是电子 , 哪种类型的半导体的多数载流子是空穴 ? N 型半导体 →
多数载流子是电子 →电子带 “负 ”电 →取 “负 ”的英文单词 “N egative ”的第一个字母 “N ”, P 型
半导体 →多数载流子是空穴 →空穴带 “正 ”电 →取 “正 ”的英文单词 “Po sitive ”的第一个字母
“P ”。关键是记住 “正 ”的英文单词 “Po sitive ”和 “负 ”的英文单词 “N egative ”。例如 : N 型 →
N egative →多数载流子是带负电的电子 →五价元素掺入单晶硅中形成的; P 型 →Po sitive →多数载流子
是带正电的空穴 →三价元素掺入单晶硅中形成的。
PN 结 : PN 结是将 P型和 N 型半导体通过一定的掺杂工艺结合而成的 , 在交界面附近 P 型半导
体中的带正电的空穴向 N 型半导体扩散而 N 型半导体中带负电荷的电子向 P 型半导体扩散 , 在交界
面附近 P 区内留下带负电的受主杂质离子形成负空间电荷层 , 在另一边 N 区内留下带正电的施主杂
质离子形成正空间电荷层
您可能关注的文档
- 尖端测量与测试技术.pptx
- 就《被遗忘的战争——咸丰同治年间广东土客大械斗研究》一书中有关问题与刘平先生商榷.pdf
- 尼泊尔印度水资源争端的缘起及合作前景.pdf
- 尼采与存在问题从海德格尔对尼采哲学的解读谈起.pdf
- 尼龙织物酸性染料固色剂CN合成及应用研究.pdf
- 尾矿库知识培训考试题库.pdf
- 层次分析法与国际关系研究.pdf
- 层次分析法在电力设备招投标中的应用.pdf
- 层次分析法确定食品质量指标权重.pdf
- 层状地层横观各向同性粘弹性优化反分析.pdf
- XX市电子政务云管理平台改造项目(系统开发服务)用户需求书.docx
- 2025年虚拟电厂行业市场分析报告.docx
- 2025年微电网行业市场分析报告.docx
- 2025年智能微电网行业市场分析报告.docx
- 2026广西崇左市教育系统师范类毕业生就业双选会招聘教师21人笔试备考试题附答案解析.docx
- 2026年金华市中心医院医疗集团(医学中心)计划招聘50人历年题库附答案解析.docx
- 2025年白城市公安局第二批次招聘留置看护警务辅助人员笔试备考题库推荐.docx
- 2025生态环境部宣传教育中心招聘10人笔试题库附答案解析.docx
- 2025广东梅州市第二轮引进急需紧缺人才(大埔县事业单位岗位)考试参考题库附答案解析.docx
- 2026湖北十堰市人民医院人才招聘备考历年题库带答案解析.docx
原创力文档


文档评论(0)