大面积、高量石墨烯化学气相沉积法制备.pdfVIP

中国科学技术大学硕士论文 摘要 摘要 石墨烯是一种新型的碳纳米结构，其结构为以正六角形为原胞的蜂巢状二维 晶格，每个格点均为sp2 杂化后的碳原子，厚度仅为一个碳原子，是第一种真正 意义上的二维材料。2004 年， Novoselov 和Geim 首次将其从石墨中分离， 并通过大量研究，揭示了其独特的性质，引起了人们广泛的观注和研究。石 墨烯的一个最重要的性质是其电子的运输性质，实验中，不仅能在室温下观 测到整数量子霍尔效应，在低温下更可以观测到分数量子霍尔效应。正是由于诸 多独特性质， 石墨烯具备广泛的潜在应用价值，如下一代高速晶体管，透明电 极，光电、压力传感器等。然而，现有机械剥离的石墨烯面积小、产量低，所以 不适合大规模应用。于是如何制备大面积高质量的石墨烯便成为目前的研究热点， 最有可能实用化的方法是用气态碳源在Cu和Ni 底上生长石墨烯的化学气相沉积 法（CVD）。不过，现有的气态源CVD 制备石墨烯的方法，仍存在许多问题使其无 法与现有的半导体工业中的技术相兼容。 在这篇文章中，主要讨论了制备大尺度、高质量石墨烯的实验方法, 尤其是 讨