应力操纵石烯的巨磁阻和古斯—汉欣效应.pdfVIP

摘要 本文用传递矩阵的方法研究了应力石墨烯的磁阻率和Goos—Hi．jnchen位移。 基于衬底应力和局域磁场对隧穿的抑制作用，我们设计了铁磁／应力／铁磁方势垒结 构模型。当两个铁磁区域磁化方向相同时，两个不等价的谷K和K’有不同大小的位 移，谷简并被打破，相应的产生谷极化电流，并随着应力的增大趋势越明显。当两个铁 磁区域磁化方向相反时，两个不等价的谷是二重简并的，不能形成谷极化电流，隧穿受 到应力产生的赝磁场的抑制。这两种不同的结果导致了极大的磁阻率，可以通过调节应 力强度和门电压控制磁阻率。 在应力石墨烯谷劈裂的基础上考虑自旋结构。铁磁区域中的自旋向上和自旋向下的 电子进入应力区域，通过调节应力强度和门电压的大小，从而控制透射光谱中K和K’ 谷之间的距离D和D’产生谷和自旋的双重劈裂现象。在铁磁／应力结构模型中，这种现 象非常明显。因此，在此结构中的古斯．汉欣位移被用来实现谷和自旋的双重劈裂。 关键字： 石墨烯应力 磁阻率 电导极化古斯．汉欣位移 III