应变si载子散射机制及特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 应变Si材料迁移率高、能带结构可调，且其应用与Si工艺兼容，是当前国内 外关注的研究发展重点，在高速／高性能器件和电路中有广阔的应用前景。载流子 散射机制是深入研究应变Si载流子迁移率增强，发展高速／高性能器件和电路的重 要理论基础。目前，有关应变Si载流子散射机制的理论研究鲜有报道，基于应变 Si材料物理机制，系统研究其载流子散射机制有重要理论意义和应用价值。 本论文首先分析了应变Si形成机制，并获得了应变Si载流子散射几率研究所 需物理参数。然后从载流子散射的量子力学理论出发，分析研究了应变Si载流子 各主要散射机制，包括离化杂质散射、晶格散射(声学声子散射和非极性光学声 子散射)、谷间声子散射并建立了相应的散射几率物理模型。最后，对载流子各种 散射机制的散射几率与能量E在Ge组分变化时的关系进行了Matlab仿真分析。 仿真结果表明，与弛豫Si相比，应变Si电子、空穴总散射几率均显著减小。此外， 相同Ge组分下应变Si电子总散射几率随能量的增加而减小，而空穴总散射几率 随能量的增加而增大。 本文所得各机制散射几率模型数据量化，可为应变Si材料物理属性的深入理 解及器件性能增强的研究