应变soi料物理与工艺技术研究.pdfVIP

摘要 摘要 SiliconOnInsulator，绝缘体上应变硅)技术结合了应变硅和SOI SSOI(Strained 的各自优点，显著的提高了材料和器件的性能。目前SSOI主流技术是基于SGOI (SiliconGemOn Insulator，绝缘体上硅锗)虚衬底的外延应变硅，其迁移率增强 在高电场下会发生退化。而基于智能剥离技术和机械弯曲工艺的单轴应变SOI材 料具有材料结构简单、无硅锗虚衬底、迁移率增强高及其高场下不退化等优势， 即将成为SSOl研究的热点。 论文深入研究了应变Si的能带结构、载流子有效质量、载流子增强机理等理 并制造了用于晶圆级Si单轴应变的专用设备。 在此基础上，论文重点研究了晶圆级单轴应变SOl的工艺原理及其制备技术， 包括H+离子注入工艺、硅片清洗与键合工艺、机械弯曲工艺、剥离工艺等。采样 自制的专用设备，进行了晶圆级单轴应变SOI的工艺实验研究，得到了晶圆级(4 英寸)单轴压应变SOI材料。 论文实现晶圆级单轴应变SOI的关键与独特之处是，利用自主研制的不同曲 率半径弧面设备，在200摄氏度下进行了