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- 2015-10-23 发布于贵州
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弛豫铁电体mn-pt陶瓷的热压烧结制备与电学性能研究
摘要
电光等性能,在压电驱动器、多层陶瓷电容器、光调制器件等方面有广阔的应用前
粉体,粉体成型后再分别用热压和无压烧结工艺制备了0.67PMN.0.33PT陶瓷,研
究了Pb过量、烧结温度及保温时间对PMN.PT陶瓷显微结构和性能的影响。用
Matlab编程模拟了气孔和晶界对PMN.PT陶瓷光透过率的影响,热压烧结制备了较
透明的掺La的O.75PMN.0.25PT陶瓷,并研究了其显微结构和电学性能。
研究表明,适宜的Pb过量有助于PMN.PT陶瓷烧结及其电学性能的提高。
PMN.PT陶瓷在Pb过量1%时显微结构均匀,有较高的致密度,其铁电、介电、压
电等性能最优。经热压烧结制备的PMN.PT陶瓷的电学性能优于无压烧结陶瓷,例
如,对压电系数,t33,660
pC/N优于600pC/N;对机电耦合系数k,71%优于61%。
另一方面,当Pb过量太多(5%)时陶瓷中气孔等缺陷增多,致密度降低,其电学
性能明显下降。
实验还发现,热压烧结有助于降低PMN.PT陶瓷烧结温度。若采用热压烧结,
在1150oC即可烧成具有较高的致密度的陶瓷;但是如果用无压烧结,在1210oC时
才有明显的烧结过程。对热压烧结,随着保温时间的延长,烧结过程
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