太阳电池硅材料制备技术.docVIP

硅的性质 硅元素 硅 硅元素处于元素周期表第三周期族，原子序数为14，相对原子量为28.09。硅原子的价电子构型为，价电子数目与价电子轨道数相等，被称为等电子原子，原子半径为117.2pm，硅主要氧化数为+4和+2。 硅为世界上第二丰富的元素，占地壳。在自然界中有三种同位素，分别为、、，所占比例分别为92.23%，4.67%，3.10%，在地壳中的丰值为27.7%。硅以大量的硅酸盐和石英矿的形式存在于自然，不存在单质。 物理形式 硅有晶态和无定型态两种同素异形体。硅晶体是原子晶体，硬而脆，是深灰色而带有金属光泽的晶体，熔点为，沸点为，密度为，比热为，莫氏硬度为7。硅晶体形成过程是硅原子中的价电子进行杂化，形成4个杂化轨道，相邻硅原子的杂化轨道相互重叠，以共价键结合，形成硅晶体。 硅单质即本征态是半导体，它的电阻率大到以上，几乎是不导电的，然而硅对热、光、磁的作用很敏感，它的电阻率会迅速降低，而载流子浓度迅速增多。硅晶体的共价键中的电子在正常情况下是束缚在成键两原子周围，它们不参与导电。因此在绝对温度零度(T=0K)和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在。 硅处于原子序数14号位置，属于Ⅳ族元素外层价电子数位第四个，与其他元素化合时特征价态为4价。当硅中加入Ⅴ族元素后，该原子会替代硅原子，并贡献出4个价电子与周围的硅原子形成共价键结合，剩余的1个价电子（带负电）少受约束而成为自由电子，它会参加导电，称为电子导电；当在硅中加入Ⅲ族元素后，该原子会替代硅原子，贡献出3个价电子和周围的硅原子形成共价键，因为少1个价电子，产生一个硅的悬挂键，形成一个空穴（带正电），邻近的电子过来增补，又在领近处形成1个新的空穴，相当于空穴在运动，参与导电，称为空穴导电。 晶态硅根据晶面取向不同又分为单晶硅和多晶硅。单晶硅和多晶硅的区别：当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅和单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如：在力学性质、电学性质等方面，多晶硅不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料，也是太阳电池片以及光伏发电的基础材料。 一般的半导体器件要求硅的纯度为6个9以上，大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到9个9。 硅的光吸收处于红外波段。 室温下硅无延展性，属脆性材料。但在温度高于时的硅具有热塑性，在应力作用下会呈现塑性形变，其内部存在的位错才开始移动或攀移。而常温时在外力作用下，单晶硅中很难产生位错和进行位错的移动。硅的抗拉应力远大于抗剪应力，在切割、研磨、和机械抛光等承受剪切应力时易于产生破碎。同样，硅片也要经历不同的热处理过程，这必然会在硅片中产生热应力，使硅片产生翘曲，光刻图形套刻的精度下降；并加速位错滑移，产生各类结构缺陷，甚至使硅片破裂。而随着IC用硅片直径的不断增大，上述情况将更趋严重。同时，硅片背损伤吸杂亦在生产中经常使用，由此产生的后果是硅片本身就具有微裂纹，易于脆断或自然解理断裂，影响下一步加工处理。再者硅材料和器件的机械可靠性也是器件制造和使用中所关注的问题。微机械加工的硅器件可能会处于复杂的应力状态，从而使其断裂或性能失效。 解理是快速有效的从硅片上划分电路的方法。单晶硅的断裂一般是沿着其解理面的，通常的断裂面为{111}面，但由于单晶表面的起始裂纹不同，断裂形式也不尽相同。同一单晶制成的硅片，由于加工方式不同，表面损伤程度不同，断裂强度不同，一般而言，表面损伤小越小，断裂强度越大。杂质原子的存在会影响到半导体材料的断裂行为。在一定的直径下，硅片越厚，则越不容易产生变形，这是因为硅片厚度越大，它所具有的热容量也越大，从而使硅片上所产生的温度梯度变小，温度分布更趋于均匀一致。所以在工业上，为了防止硅片翘曲，有时候会采取增加硅片厚度的办法。但这种方法的缺点是会产生很大的浪费，使得相同长度的硅单晶锭所切的硅片数大大减少，这对生产来讲是不可取的，但是，随着硅片直径的不断增加，在硅片的机械强度不能大幅提高的情况下，为了防止翘曲，人们只能采用增加硅片厚度的方法。 二氧化硅 二氧化硅是制造冶金硅的主要原料之一，的同质多晶变体很多，其中最常见的、在地球上分布最广的是低温石英，即-石英。 二氧化硅在高温下能与碳反应生产硅，其反应式为： 这是制备冶金级硅的方法。在高温下，二氧化硅与焦炭反应，生成液相的硅沉入电弧炉底部，此时铁作催化剂可有效阻止碳化硅的形成。在电弧炉底部开孔可将液相硅收集，凝固后可得到冶金级硅。 制备冶金级硅的石英要求纯度较高（98.5%以上）和一定的粒度，所以适用的主要是脉石英和石英砂。 太阳能级硅 硅根据其杂质含量分为粗硅和高纯硅，高纯硅根据晶型的不同又分为单晶硅、多晶硅和无定型硅，多晶硅按纯度