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* 二、节电工作方式 当需要降低单片机运行功耗时,可采用节电工作方式。采用HMOS工艺和CHMOS工艺的MCS-51系列单片机具有不同的节电工作方式。采用HMOS工艺的单片机只有一种节电方式,即掉电方式。而采用CHMOS工艺的80C51是一种低功耗单片机,它不仅本身消耗功率较低,而且还具有两种节电工作方式:待机方式和掉电工作方式。 * 1. HMOS工艺的节电工作方式 HMOS工艺的8051单片机系统在正常运行过程中,片内RAM由VCC供电。如果发生掉电,就会导致片内RAM中的信息丢失。但是,单片机允许RST/VPD引脚外接备用电源,掉电时,当VCC上的电压低于VPD上的电压时,备用电源就可通过VPD端给片内RAM供电,从而保护内部RAM中的数据不被丢失。 * 掉电保护电路 * 1. CHMOS工艺的节电工作方式 采用CHMOS工艺的80C51单片机中,节电运行方式是通过软件设置特殊功能寄存器PCON的有关位来控制的。特殊功能寄存器PCON的字节地址为87H,不可按位寻址,其格式如下: PD(PCON.1):掉电控制位,置 “1”后,单片机进入掉电运行方式 IDL(PCON.0):空闲控制位,置“1”后,单片机进入空闲运行方式。 * 当PD 与IDL同时为1时,单片机进入掉电方式。单片机复位时PCON的值为0×××000。对于HMOS的芯片,在PCON中只定义了SMOD位。 当处于节电工作方式时,VCC输入由后备电源提供,在待机运行方式(IDL=1)中,时钟振荡器继续工作,中断系统、串行口、定时器电路由时钟所驱动,但时钟信号不送往CPU。在掉电保持工作方式(PD=1)中,时钟振荡器被停止工作,但片内RAM和特殊功能寄存器内容被保存,由后备电源继续供电。 * 下图为实现节电运行方式的内部电路。即待机和掉电方式控制电路 * (1) 掉电方式 执行一条使PD置“1”的指令后,80C51单片机便立即进入掉电方式。掉电工作方式的状态是:振荡器停止工作,芯片的所有功能均被停止,但片内RAM和SFR内容保持,端口引脚上输出各自锁存器的内容,ALE和PSEN输出为逻辑低电平。在掉电方式期间, VCC可以降至2V,耗电电流仅50μA。 退出掉电方式的唯一方法是硬件复位。 * (2) 待机方式 执行一条使IDL置“1”的指令后,80C51单片机便进入待机方式。在待机工作方式(IDL=1)中,时钟振荡器仍然工作,时钟信号能够继续提供给中断系统、串行口、定时器/计数器,这部分电路可继续工作。但IDL=0,与门无输出,时钟信号不能送给CPU,CPU停止工作。此时,CPU执行的状态被完整地保存,即堆栈指针SP、程序计数器PC、程序状态字PSW和累加器ACC等、 片内RAM和SFR中其它寄存器均保持进入待机前的状态,端口引脚逻辑状态不变,ALE和PSEN变为高电平(无效状态)。 * 退出待机状态有两种方法:一种是硬件复位,在待机工作方式中,时钟振荡器仍然工作,只要RST/VPD引脚保持两个机器周期(10ms)以上的高电平,既可完成复位操作,使特殊功能寄存器PCON复位,从而退出待机状态;另一种是中断响应,当已开放中断的中断源发出中断请求信号后,中断系统对这个中断请求进行响应时,片内硬件电路会自动使PCON.0位清“0”(IDL=0),致使图2-13中的与门被打开,CPU便从原先激活待机方式指令的下一条指令处重新执行程序。 * * 三、特殊功能寄存器(SFR) MCS-51系列单片机内部共有21个具有特殊功能寄存器,它们离散地分布在内部RAM 80H~F0H的地址范围内,允许像访问内部RAM一样方便地访问各个特殊功能寄存器。 在80H~FFH 共128个字节单元中,特殊功能寄存器只占用了其中26个字节,其中有5个是双字节,其余单元没有定义,用户不能对这些没有定义的单元进行读/写操作,若对其进行访问,则将得到一个不确定的随机数。 下表列出了这些特殊功能寄存器SFR的符号、名称及字节地址。 * 寄存器 位地址 / 位定义 地址 F7 F6 F5 F4 F3 F2 F1 F0 B F0H E7 E6 E5 E4 E3 E2 E1 E0 ACC E0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 PSW CY AC F0 RS1 RS0 OV / P D0H BF BE BD BC BB BA B9 B8 IP
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