si表面吸附及i掺杂缺陷gan磁性的研究.pdfVIP

Si表面吸附及Si掺杂缺陷GaN磁性的研究 摘要 硅作为最重要的半导体材料，其表面结构及其外延生长一直是人 们关注的研究课题。由于Au／Si界面在电子器件和表面催化方面的广 泛应用，深入了解其微观结构与特性具有重要的意义。本文采用基于 密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法，对Si各种表面结构进 结构，电子性质以及Si对GaN的d0磁性的影响进行了研究，其主要结 论如下： 三种常见重构的结构的不同结构，即是p(2×1)在表面两种不同的 二聚体(dimer)能量，不对称二聚体p(2×1)和这两种交替排列 的不对称二聚体结构的相互转化需要能量的下降而转变为另一种排 化学性质不同，Si—down原子中的电子转移到Si—up原子中，从而 Si—up原子是少电子态，而Si_down原子是多电子态。 了研究，发现Au吸附在两个相邻平行dimer行之间沟槽的位置上是 最稳定结构；对该结构的电子结构与电子性质的研究，发现Au原子 的吸附饱和了表面悬挂键，而Au原子与表面硅原子形成具有部分离 子键特性的共价键；另外，发现清洁Si表面能带结构中存在的两条 能带结构中消失，Au原子饱和了Si(100)表面上一部分的悬挂键， 面沟槽处，Au。团簇中的一对Au键断裂，形成折线型Au链，其它两 个Au—Au键的键长缩短；Au原子的增加使得整个体系中的能带间隙 算结果表明， 最后，利用第一性原理局域自旋密度近似方法对Si参杂GaN 的d0铁磁性进行了研究。研究表明Ga空位缺陷会产生3郎的磁 矩，而Si掺杂后对GaNd0铁磁性的影响明显；Si掺杂后缺陷诱 导的GaN磁矩发生淬灭，磁矩减小到2邱，随Si含量的增加磁矩 进一步减少。这一理论结果对实验有指导意义。 关键词：第一性原理；Si(100)表面；吸附；稀磁半导体：GaN：Si； 磁性 II MAGNETISM ADSORPTIONAND OFSISURFACE THESTUDY IN oFSI．DoPEDDEFECTGAN ABSTRACT semiconductor surfacestructures isoneofthemost materials；the Silicon important ofSihavebeen attention．Itis tocharacterize and attracting significant epitaxialgrowth duetoitswide inthe microstructuresofAu／Siinterface andunderstandthe application andsurf．ace calculations electrOnicdevices usingnrst-principles catalyticengineering．By dissertationisdeVotedtothe of basedonthe functional study density theory(DFT)，the andelec