硅衬底gan基ed钝化层与p面欧姆接触的研究.pdfVIP

摘要 摘要 近几年来．在Si村底上生长GaN取得了很大的进展。相对于不导电的蓝宝 石衬底，Si衬底的散热好，价格低，并且已经成功研制出了垂直结构的LED。 相对于同侧结构的LED，垂直结构的Ga．N基LED能够缓解电流拥堵，散热性差 等同侧结构LED的固有缺点，有效提高器件的可靠性与寿命，并且可以采用表 面粗化以及反射镜来提高器件光提取效率。Si衬底垂直结构的LED，仅用筒单 的化学腐蚀就可以轻松去除，这成为其又一巨大的优势。本文研究SiON钝化层 触和反射率。获得的部分创新研究成果有： 对4种不同钝化层Si衬底绿光LEDs进行超大电流密度(312A／cm2)加速 老化。结果表明完全钝化(侧面和台面均钝化)的硅衬底绿光LED呈现良好的 可靠性。SiON(尤其是侧边钝化层)能钝化芯片表面态，抑制老化过程中的热 生缺陷的产生，从而减少漏电流，降低光功率衰减等。长有SiON钝化层的Si 衬底蓝绿光LEDs的光功率分别提高12．9％和7．4％．此外，值得一提的是，在电 T作 流密度高达312A／cm2时加速老化168小时，即使无钝化层的样品，20mA 1032小时后，有钝化层的绿光LEDs的波长漂移小于0．7rim，Ⅵ’z变化为0．003V， 基本没有变化。SiON钝化层能有效吸收蓝光LEDs发光中的短波辐射以及隔离 ’ 环氧与高温芯片，减缓对环氧树脂的老化，从而降低芯片的光衰。 为了测量3种Mg激活条件和不同退火温度下P面Ag的反射率，找出最佳 的工艺条件，本实验首次提出用蓝宝石LED外延片在3种激活条件下，不同退 火温度下退火，并测量了Ag的反射率。结果表明牺牲Ni工艺的Ag反射率随着 退火温度一直升高。而牺牲Pt在400(2最高．随后降低。用Si树底LED外延片， 在不同激活条件和不同温度下退火，结果表明30012牺牲Pt的I．v性能最佳，但 是随后下降与牺牲Ni的无区别。综合I．v特性和反射率，文本结果为在500(2 牺牲Ni的条件最佳。对比有无Cr／Pt覆盖层，在不同温度下退火以及AFM的粗 糙度，结果表明Ag球聚导致反射率降低。Cr／Pt覆盖层能有效防止Ag发生球聚， 提高反射率。400C退火，在玻璃上测试的有Cr／I)t覆盖层的Ag的反射率达到 92．68％，与理论值96％很接近。 以上研宄结果在本单位生产基地芯片生产中部分采用。本文得到了屋家863 课题和教育部半导体照明技术创新团队研究经费的资助． 关键词：Si衬底；SiON；GaN-LED；光衰：欧姆接触 Abstract ABSTRACT has ofGaNOnSisubstratemademuch irI ne growth recent ep／taxial progress andthe ofthe are concernsfor reliabilityimprovementefficiencyprimary years．The tothelateral vertical devices．CompareLEDs，the stmctureLEDs optoelectronic basedOilSisubstratehavenOcurrent andthermal crowding conductivityproblems． useofthemetalreflectorand触e cartenhance Besides，the