数电半导体存储器与可编程逻辑器件.pptVIP

使用时先去除EPROM存储器芯片窗口上的遮光不干胶纸，擦除器最多可以同时擦除16片芯片，将定时器设定在10分钟位置，接通电源即可。对于比较旧的芯片,一般要加大擦除的时间,可设为20分钟左右。价格：68元 是制作紫外线擦除器需要的全部零件，计有紫外线灯管一只，镇流器一只、启动器一只、灯管插座两只、电源线及少许绝缘导线、启动器插座、电源开关一只等。什么？对了，和普通的日光灯的组成一样，不过，只是采用了紫外线灯管而已。 U盘的可擦写次数是U盘的正常寿命，一般采用MLC颗粒的U盘可擦写1万次以上，而采用SLC颗粒的U盘使用寿命更是长达10万次。 U盘是采用Flash芯片存储的，Flash芯片属于电擦写电门。在通电以后改变状态，不通电就固定状态。所以断电以后资料能够保存。 Flash芯片的擦写次数在10万次以上，而且你要是没有用到后面的空间，后面的就不会通电，所以U盘总是头上的存储空间容易坏。但只要重新格式化，后面的就可以再使用下去。所以U盘的寿命是很长的。一般都比它的外壳寿命长。 均匀隧道编程与擦除 4）FN隧道穿越（Fowler-Nordheim tunneling）编程和擦除原理 均匀隧道编程与擦除是有条件的，即隧道区厚度要足够小，如小于12nm 非均匀隧道编程与擦除 隧道区靠近漏极或源极一侧 EEPROM的编程和擦除都是基于非均匀隧道穿越原理 3．电擦除可编程只读存储器EEPROM（E2PROM） T2为了提高擦、写的可靠性 T1为实现数据存储的存储管 存储单元为双管结构 6.3.3 现代常用ROM 1．Flash ROM 存储单元相对于EEPROM，只需要一个MOS管，结构简单，集成度高，成本低。因为MOS管的源极是连在一起的，所以擦除时按固定大小的存储容量(典型为128-512kbits) 整体擦除，所以叫Flash Memory，用来形容擦除速度快。 存储单元为单管结构 NOR Flash ROM存储矩阵及其等效电路 NOR Flash同一位线上的单元是并联的关系，逻辑上为或非逻辑NOR指的就是或非逻辑 NAND Flash ROM存储矩阵及其等效电路 NAND Flash同一位线上的单元是串联的关系，逻辑上为与非逻辑NAND指的就是与非逻辑 典型的NAND Flash ROM的结构 NOR与NAND比较 寿命长、成本低 随机访问 优势 页 字节 读取单位 页（典型为528Byte） 字节 编程单位 小块（8～32KB） 块 擦除单位 很低 高 价格 顺序访问 随机访问 访问方式 FN隧道穿越 热电子注入 编程方式 FN隧道穿越 FN隧道穿越 擦除方式 100 000～1 000 000 10 000～100 000 擦除次数 快 较快 读 快 慢 写 快（4ms以下） 慢（5s） 擦除 工作速度 不可以（类似硬盘） 可以（类似RAM） 程序直接运行 （XIP，eXecute In Place） 大容量（16GB或更高） 中等容量（256MB） 容 量 NAND Flash ROM NOR Flash ROM 参 数 2．单比特单元SLC与多比特单元MLC Single Level Cell VS Multiple Level Cell 目前，多比特单元已经成为主流！尤其是超大容量的Flash ROM Kingston 1G SD card 左侧为三星K9G808U0M MLC Flash ROM 2bits/cell 右侧为SD控制芯片，49元 ￥49.00 虽然，ROM可读也可写，但写入速度慢，另外写入或擦除操作是有损操作，SIO2绝缘层很薄，随着写操作次数增加，也在不断损耗，一旦绝缘层彻底击穿，将不能再编程。所以可写ROM的编程次数都是有限的，典型次数为100万次(NAND Flash)。所以ROM还不能代替RAM！ U盘往往内部包括了微处理器（右侧芯片）和Flash memory（主要是NAND Flash），之所以可以在比较低的单电源条件下工作，因为芯片内部往往有电荷泵（charge pump ）用于提升电压，以满足在擦除和写入时对高电压的要求。 题6.2 试说明PROM种类，以及擦除和写入方法。 答：PROM主要包括OTPROM、UVEPROM、EEPROM；紫外线擦除、FN隧道穿越擦除和写入（隧道注入），以及热电子注入写入（雪崩注入）。 位(b,bit)?字节(Byte,B)? 1个字节=8位 1GB =1024MB1MB=1024KB 1KB=1024B 题6.4 一块ROM芯片有10条地址线，8条数据线，试计算其存储容量是多少？ 答：210?8比特=8K比特=1K字节。 题6.8 试说明Flash ROM有何特点和用途，与其他存储器比较有什么不同？ 答：F