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铕掺杂富硅氧化硅薄膜地光电性能研究.pdf 79页

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铕掺杂富硅氧化硅薄膜的光电性能研究 浙江大学硕士学位论文 PL积分强度基本不变。而随后通过荧光寿命测试,我们发现随着热处理温度的 升高,荧光寿命在800℃处呈现了一个明显的由ns到US级别的转变过程。分 步设计实验验证了高于800℃后的强宽带发光来自于Eu2+,随后我们通过 TEM,SAED,XRD对薄膜的微观结构进行了表征,发现了随着薄膜热处理温 度的升高,EuSi03多晶的团簇在薄膜中形成,结晶度不断提高。因此我们认为 热处理过程中荧光机制的转变是由薄膜的微结构变化引起。 第四,我们还将铕掺杂富硅氧化硅薄膜制作成ITO/EuSiO/P.Si/A1MOS器 件结构,成功实现了薄膜的电致发光。但是器件注入电流相对较大,我们认为 是常规热处理形成的较大EuSi03颗粒,注入的电子通过颗粒间进行传导,当遇 到缺陷复合中心时,电子空穴对发生辐射复合,而发射可见光。我们针对此结 构进行了改进,采用P/p+衬底取代P型衬底,以使得衬底和电极间形成欧姆接 触;采用RTP取代常规热处理,以形成更小更均匀的颗粒团簇;通过在铕硅氧 薄膜上添加Si02层,实现了增大电场,降低注入电流的目的。相较没有添加 级跃迁而发出的更强电致发光。 关键词:光致发光,硅酸铕,氧化硅,热处理,电致发光 VI Abstract Abstract emitterisoneofmost issuessilicon-based Light important photonics now oftheindirectband of it benot facing.Because gapsilicon,making for suitable active have optical attractedinterestallovertheworldfor great its luminescence high intensity, monochromaticandstable atroom performance siliconbased materialsanddevicesbethechoiceof doped lightemitting may sourceofsilicon this light photonics.In of siliconrich electroluminescence(EL)performance Europium(Eu)一doped filmshavebeen its asthe oxide(SRO)thin investigated,toexporeways light emitterofsilicon photonics. SROfilmshavebeen electronbeam Eu-doped preparedby evaporation

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