第三部分集成电路工程.docVIP

第三部分 课程简介 1、半导体器件原理 1、课程目标： （1）掌握半导体器件的基本结构、原理和特性，具备对MOS晶体管和双极晶体管工作原理进行分析的能力； （2）具备对MOSFET的物理效应和物理参数进行分析和计算的能力，掌握半导体物理与器件特性参数测试的主要实验； （3）了解现代半导体器件的发展过程和趋势，对新型半导体光电子器件有所了解。 2、课程内容： 半导体器件物理主要讲授PN结、金属－半导体结、双极结型晶体管（BJT））施敏伍国珏内容包括器件模型和公式、基本门电路、静态与动态电路、存储器设计、互连线产生的效应和芯片中电源网格与时钟的分布等。讨论主要基于0.18 μm和0.13 μm CMOS工艺，突出深亚微米工艺中互连线带来的新问题及其对设计的影响强调了SPICE模拟工具在电路设计中的应用【1】（美）霍奇斯 等著，蒋安平 等译版社，200 【2】林丰成著 数字集成电路设计与技术出版社，20 【3】[美]Paul R Gray等著，张晓林等译 模拟集成电路的分析与设计（第四版）高等教育出版社，2005年【4】[美] Willy MC. Sansen著，译模拟集成电路设计精粹（第三版）版社2008年. 【】李哲英?著，数字集成电路设计机械工业出版社?，2007年 3、CMOS模拟集成电路设计 1、课程目标： 通过模拟集成电路设计基础的讲解，通过更深度模拟集成电路设计基础的讲解、