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“硅器”时代 “硅器” 远古时候的“硅器” 陶瓷，主要成分为硅酸盐 天然石英（SiO2） 生活中的硅 电脑中的硅芯片 什么是“半导体材料” 导体 ——金属等 绝缘体——橡胶，塑料等 半导体——硅，锗等等 半导体材料是介于导体与绝缘体之间的，导电能力一般的导体。它的显著特点是对温度、杂质和光照等外界作用十分的敏感。 元素周期表 常见半导体材料 锗 半导体材料的内部结构 晶体的能带 导体存在一个电子不能填满的导带，故能导电。金属导体的电阻率约为10－8～10－6欧姆·米 ； 绝缘体只有满带和空带，没有导带，且禁带很大（3－6 eV） ，故不能导电。绝缘体的电阻率约为108～1020欧姆·米 ； 半导体只有满带和空带，但禁带很小（0.1－2eV），满带中的电子可以在光、热、电作用下进入空带，形成导带。电阻率约为10－8～107欧姆·米。 本征半导体和杂质半导体 纯净半导体又叫本征半导体，就是指晶体中除了本身原子外，没有其他杂质原子存在。 假如在本征半导体中掺入杂质，使其产生载流子以增加半导体的导电能力，这种半导体称为杂质半导体。 n型和p型半导体 杂质半导体中以电子导电为主的称为n (negative)型半导体(硅掺磷、砷等Ⅴ族元素)，以空穴导电为主的称为p (positive)型半导体(硅掺硼、镓等Ⅲ族元素) 。 半导体的性质 电阻率随温度的增加而减小（称为负温度系数） 微量的杂质对半导体的导电性能有很大的影响 光照可以改变半导体的电阻率 真空二极电子管的工作原理 晶体管的接触面工作原理 半导体在开关和整流器中的运用 npn三极管示意图 半导体材料制作晶体管 1947年利用半导体材料锗制成的第一个晶体三极管在美国新泽西州贝尔电话实验室诞生，发明人是三位美国科学家（从左至右）巴丁、肖克利和布拉顿。他们三人获得1956年诺贝尔物理学奖。这一发明引起现代电子学的革命，微电子学诞生了，并获得迅速发展。1958年半导体硅集成电路的诞生，吹响了以集成电路为核心的微电子技术发展的号角。微电子技术正是电子计算机和当今信息技术发展的基础。 集成电路 集成电路就是将电子线路中所采用的电阻、电容、二极管、三极管等元件及互联线制作在单个的半导体硅芯片上，具有和单个分开的分立器件制作的电子线路同等或更好的功能。 制造工艺：主要是氧化、光刻、扩散掺杂和封装。 其芯片的耗能及单位成本很低，并能提供较高的工作速度和可靠性。 半导体与集成电路 微电子技术的发展 芯片换代的标志 1 密集程度高 2 同等功能的元件和整机的价格下降 3 尺寸减小 4 信息容量增大 5 运算速度提高 半导体材料的制作工艺 常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。提纯主要有物理提纯和化学提纯。单晶的制备主要是利用熔体生长法 ，其中提拉法在工业中最为常用。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。 半导体材料的运用和意义 20世纪是科学技术突飞猛进的100年，原子能、半导体、激光和电子计算机成为20世纪的“四大发明创造”。激光和计算机是以半导体材料为基础的，而激光和计算机都是信息技术的重要支撑技术。因此，半导体材料技术在信息技术，以至于整个高科技领域有着举足轻重的作用。 半导体材料运用的树状图 半导体材料在照明中的运用 光生伏特效应 太阳能电池 光电效应和光电传感器 半导体材料在显示器件中的运用 小芯片改变大世界 集成电路的普及和发展给人类带来了小无止境的产品，也为人类带来了大无边际的网络。 电话网延伸了人们的听力——“铱星”系统； 电视网延伸了人们的视力； 计算机网延伸了人们的大脑。 铱星系统 计算机网的诞生 用于减少信息传输量的视频压缩/解压缩芯片; 用于数码录放音及影像存储的记忆体元件芯片; 媒体处理芯片; 快速电池充电控制芯片; 路由器芯片等 温差效应 当半导体材料两端的温度不同时，载流子就会从高温端流向低温端，结果半导体的两端就会产生电势差，这种现象成为温差效应。利用这种效应可以做成温差发电堆。 砷化镓半导体 计算机的运算速度受到芯片材料中电子运动速度的限制 在砷化镓单晶材料中电子的迁移率（电子在电场作用下的迁移速度）比在单晶硅材料中电子的迁移率大6～7倍，所以采用砷化镓晶体管的计算机的响应速度和运算速度都更快。 砷化镓晶体结构 超晶格材料 超晶格就是用两种或两种以上不同半导体或半导体的n型或p型极薄膜层交替排列组成的周期阵列，即在原来的周期性的晶格势场上再加上一个人为的周期势。 超晶格材料的应用 由于在与界面平行的方向电子可以自由运动，迁移率极高，故可制成世界上最快的晶体管。 改变砷化镓