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DriftDrain 中文摘要 MOSFET模拟与建模 DriftDrain MOSFET模拟与建模 中 文摘要 Drain 近年来，高压双扩散漏器件DDDMOS(DriftMOsFET)以其优良的性能 被广泛地应用于电源管理、输入输出接口、LCD驱动等电路中。然而，目前在业界 缺少标准和准确的DDDMOS电流模型，给电路设计者带来困难。业界目前使用的模 型只是在低压MOS模型基础上作一些修改，或者通过用简单多项式的形式建立 DDDMOS漂移区电阻的宏模型以建模。这两种方法各有其局限性，很难得到准确的 全区域模型，所建立的模型物理意义也不是很明确，不能普遍适用于各厂家的工艺要 求。 本论文利用标准的器件及工艺模拟软件研究了DDDMOS的工作特性，并在此基 础上提出了基于物理意义的器件宏模型。首先介绍了器件建模的基本原理及相关模拟 技术，然后利用工艺模拟软件生成器件基本结构，并对其基本特性进行了分析；分析 了业内和学术界比较通用的高压器件建模的方法，随后在模拟实验的基础上着重分析 了DDDMOS的物理特性，在求解泊松方程、连续性方程等基本方程的基础上，建立 有物理意义的漂移区电阻的宏模型；随后结合SPICE 到完整的DDDMOS模型，此模型与模拟数据符合得比较好，通过对不同工艺参数的 器件进行模拟比较，该模型能够覆盖不同的工作偏压范围，具有较明确的物理意义， 对今后的功率集成电路的研发有一定的参考意义。 关键词：器件模拟、DDDMOS、宏模型 作 者：管小进 指导教师：王子欧 DrainMOSFET Abs订act Simulationand ofDriR Modeling and ofDriftDrainMOSFET Simulation Modeling Abstract DriftDrain in MOSFETs(DDDMOS)arenowadayswidely Highvoltage applied driversand tonowa circuitsof interface，LCDetc．However,up powermanagement，I／O DDDMOScurrentmodelstill muchtroubleinthe andaccurate lackofastandard brings eithermodified circuit models usedare fromlow MOS design．Thecurrently voltage modelof establishedDDDMOSdrift