ZnOGa透明导电氧化物薄膜的制备和研究.pptVIP

ZnO:Ga透明导电氧化物薄膜的制备和研究 实验过程： 1.烧结靶材 2.沉积镀膜 3.性能检测 ZnO:Ga透明导电氧化物薄膜 的制备和研究 content 1.背景介绍 2.课题目标 4.实验过程 3.进程安排 5.参考文献 基础知识介绍及国内外研究背景 1.氧化物透明导电薄膜 透明：透光率T80%，能隙宽度大，自由电子要少 导电：电阻率~10-3 Ω·cm，自由电子要多 2.国内外的研究以及取得的成就 1907年Bakdeker第一个报道了CdO透明导电膜 20世纪50年代-----SnO2基薄膜和In2O3基薄膜 20世纪80年代-----ZnO基薄膜出现研究热潮 3.当前在该领域存在的瓶颈 TCO 平板显示、太阳能电池 新材料需要 本次课题研究的目的及目标 1.针对存在的问题，我们的研究有怎样的意义 GZO：资源丰富 透明导电性好 2.通过一年的实验，我们期望取得怎样的目标 制备出不同成份配比的GZO靶材； 获得GZO薄膜性能特点与制备工艺之间的变化规律； 找到合适的制备条件制备出性能优良的GZO薄膜 具有代替ITO/AZO的广泛的应用潜能 进程安排 起讫日期 主要研究内容 预期结果 2011.3-2011.6 前期准备 查找文献和学习理论，熟悉仪器操作 2011.7-2011.8 GZO靶材的制备 制备出不同成份的GZO靶材 2011.9-2011.10 GZO靶材的分析 探究成份和制备工艺对GZO靶材结构的影响 2011.11-2012.2 GZO薄膜的制备 改进制备工艺，优化GZO薄膜性能 2012.3 成果整理 结题报告 实验过程 1.烧结靶材 ZnO粉末和 GaO粉末混合烧结成不同Ga含量靶材 2.沉积镀膜 脉冲等离子体沉积技术（pulsed plasma deposition，简称PPD），将靶材蒸发沉积到衬底成膜 3.性能检测 成分和力学性能： 1.AFM 2. SPM 3. X射线衍射4.台阶仪 电学性能：1.四点探针法 2.伏安法 光学性能：1.紫外-可见分光光度计 研究条件因素 ①Ga的质量分数配比； ②蒸发室最高温度和温度变化过程； ③等离子体轰击速率； ④脉冲占空比； ⑤旋转靶材的转速及方向； ⑥基极温度。 创新点 技术创新：PPD---脉冲等离子体沉积技术 常用方法：VEP、MSP、CVD、MBE PPD：能保证薄膜与靶材中近似相同的元素计量比 不同条件的尝试为高性能薄膜制备提供可能 选材创新：ZnO:Ga 常用材料： In2O3、SnO2中掺B、Ga、Al、F等 GZO：ZnO宽禁带，易产生缺陷 沉积温度低，稳定性好 原子半径接近，晶格畸变小 资源丰富，成本低廉 实验主要难点 国内外该领域用PPD研究GZO接近真空，相关资料甚少 找到合适的靶材制备环境和薄膜沉积环境工作量大 探索GZO薄膜在室温条件下的制备条件 参考文献 Xifeng Li, Weina Miao, Qun Zhang, Li Huang, Zhuangjian Zhang and Zhongyi Hua, The electrical and optical properties of molybdenum-doped indium oxide films grown at room temperature from metallic target, Semiconductor Science and Technology, 2005, 20: 823–828 Yanwei Huang, Qun Zhang, Guifeng Li, Ming Yang, Tungsten-doped tin oxide thin films prepared by pulsed plasma deposition, Materials Characterization, 2009, 60: 415– 419 T. Kakeno, K