超长碳化硅纳米线的化学修饰本科论文.ppt

第三章：研究碳化硅纳米线表面负载Pt纳米颗粒影响因素 Company Logo LOGO Company Logo 指导教师:赫荣安老师 超长碳化硅纳米线的化学修饰 班级：09级应用化学1班 学生： 陈杨杰 学号: 2009051125 日期: 2013年6月 纳米材料的改性是新一代纳米功能材料研究的热点之一。 碳化硅具有良好的化学稳定性、良好的结构性能、独特的光电性能，是一种优良的非氧化物陶瓷材料。 超长SiC纳米线 —半导体、一维纳米材料，纳米尺寸 —稳定的化学性质并不利于改性 本文欲通过改性，使SiC纳米线具有气体传感和催化功能。 超长碳化硅纳米线的化学修饰的背景及意义 研究方案 采用水热法，在Au/Ni电极上生长出了ZnO纳米线阵列（真空科学与技术学报报导）。通过测定其对不同相对湿度器件电阻变化，有很好的灵敏度和电容响应，具有良好的应用前景。 采用化学沉积法（催化学报）制备了不同Pt含量的Pt/BiOCl纳米片光催化剂，影响光吸收和催化剂降解改性橙的原因是沉积的Pt纳米线粒子及其等离子体催化作用，丰富了贵金属沉积对BiOXRD类光催化剂的光催化研究。 本文分为两个部分：1）利用干氧化法在表面制备了SiCO氧化层，检测产物湿度传感性能；2）在碳化硅纳米线表面均匀负载Pt金属纳米颗粒，探讨影响负载的因素及均匀控制Pt金属颗粒的条件。 论文内容框架 碳化硅纳米线的制备及表征 湿度传感研究 研究表面负载Pt纳米颗粒影响因素 碳化硅纳米线对湿N2湿度响应研究 碳化硅纳米线对空气的湿度响应研究 碳化硅纳米线对不同湿度空气的湿度响应研究 碳化硅纳米线干氧化及产物湿度响应研究 碳化硅纳米线的湿度响应作用机理 H2PtCl6的用量对SiC纳米线表面Pt颗粒形貌的影响 反应温度对SiC纳米线表面Pt颗粒形貌的影响 分散剂对SiC纳米线表面Pt颗粒形貌的影响 第一部分:碳化硅纳米线的制备及表征 制备：超长（厘米级）SiC纳米线，采用化学气相沉积法，将聚硅碳硅烷（20.0g）和活性炭粉末（16.0g）混合成均匀浆料，N2保护下，以10℃/min升温至1300℃，保温2h后自然降至室温，棉花状淡绿色产物。装置图: 表征：扫描电镜SEM来观察测定微观形貌，采用XRD来证明其为碳化硅纳米线，如下图： 　上图，瓷舟表面，放大1000倍和25000倍的SEM图像，直径约为1-2nm。某一区域的EDX谱，主要成分为Si、C，并含有少量的O元素，少量Pt元素喷金过程，质量百分比约为1.94%。2θ数值35.7°、41.5°、60.1°、71.8°和75.5°，峰位和强度与标准图谱的（111）、（200）、（220）、（311）和（222）晶面衍射峰一致，为SiC纳米线。 第二章：湿度响应研究 置于测试腔中，通入干燥氮气，电阻急剧下降，通入水蒸气的氮气，电阻逐渐上升时，通入干燥氮气，重复。电阻响应曲线图如下： 湿N2的灵敏度为15.74%，具有优良的响应，响应时间为124s，恢复时间为41s，占整个时间的75%（t90，即器件达到其最大变化的90%所需的时间），具有良好的潜在性能。 2.1碳化硅纳米线对湿N2湿度响应研究 置于测试腔中，通入空气，电阻急剧下降，抽成真空，重复。曲线图下： 相对湿度(RH)为30、15、7、3.5时，响应时间200、190、180、110、40s，恢复时间分别为200、160、110、40s，灵敏度计算如下：A:RH=30时，灵敏度3.82，说明具有良好的应用前景。 2.2：碳化硅纳米线对空气的湿度响应研究 相对湿度(RH)30、15、7、3.5时，响应时间分别为200、190、180、110、40s，恢复时间为200、160、110、40s，灵敏度计算：A:RH=30时，灵敏度3.82%；B:RH=15，灵敏度为：2.88%；C：RH=7.5时，灵敏度2.25%；D：当相对湿度RH=3.5时，1.29%，灵敏度水蒸气增加而增加。相对湿度为横坐标，灵敏度为纵坐标得图。 2.3：碳化硅纳米线对不同湿度空气的湿度响应研究 a未经氧化TEM图，表面不均匀，没分层，同一种物质，b-d600℃下氧化5min的TEM图，外层出现氧化层，在750℃和900℃下发现，氧化速率随温度升高而升高。 2.4：碳化硅纳米线干氧化及产物湿度响应研究 氧化层厚度测量，氧化层厚度增长速率为0.13,0.15和0.18nm/min，增长很慢，良好的抗氧化性。750℃下氧化30min氧化层厚度0.25nm，进一步证明优良抗氧化性，氧化层厚度在3-4nm之间或以下的氧化层传导性能优良。 750℃下氧化30min湿N2响应曲线，良好的响应。灵敏度6.67%，良好的响应，比在750℃下氧