第六章硅片制造中的沾污控制精品.pptVIP

集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 集成电路工艺 第六章 硅片制造中的沾污控制 讨论：芯片厂赢利还是亏本的取决因素？ Wafer Yield: YW=Wafersgood/Waferstotal Die Yield: YD=Diesgood/Diestotal Packaging Yield: YC=Chipsgood/Chipstotal Overall Yield: YT=YW×YD×YC 本章要点 6.1 沾污的类型 6.2 沾污的源与控制 6.3 硅片湿法清洗 6.1 沾污的类型 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD） 颗粒 颗粒是能粘附在硅片表面的小物体 悬浮在空气中传播的颗粒称为浮质(aerosol) 颗粒能引起电路开路或短路 可以接受的颗粒尺寸必须小于最小器件特征尺寸的一半 颗粒检测广泛采用激光束扫描硅片表面和检测颗粒散射的光强及位置来进行 金属杂质 危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属 金属来源于化学溶液或者半导体制造中的各种工序（如离子注入工艺）；另一种来源是化学品同传输管道和容器的反应。 金属可以通过两种途径淀积在硅片表面：金属离子通过金属离子与位于硅片表面的氢原子的电荷交换而被束缚在硅表面；当硅表面氧化时金属杂质分布于氧化层内。 金属离子在半导体材料中是高度活动性的，称为可动离子沾污(MIC)。当MIC引入到硅片时在整个硅片中移动，严重损害器件电学性能和长期可靠性。 有机物沾污 来源包括细菌、润滑剂、蒸气、清洁剂、溶剂和潮气等。 微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性；导致表面的清洗不彻底 自然氧化层 如果曝露于室温下的空气或溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化 天然氧化层的厚度随曝露时间的增长而增加 自然氧化层会妨碍其他工艺步骤；增加接触电阻 去除：通过使用含HF酸的混合液的清洗步骤 静电释放（ESD） ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩擦 静电荷从一个物体向另一物体未经控制地转移，可能损坏微芯片 虽然ESD静电总量很小，但积累区域也小，可达1A的峰值电流，可以蒸发金属导线和穿透氧化层。放电也可能成为栅氧化层击穿的诱因。另外，一旦硅片表面有了电荷积累，它产生的电场就能吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面。 6.2 沾污的源与控制 空气 人 厂房 水 工艺用化学品 工艺气体 生产设备 净化间(Clean room) 颗粒会降低良率 IC加工必须在净化间 低颗粒密度的人工环境 净化间级别 美国联邦标准209E 1级净化间意味着每立方英尺中尺寸≥0.5μm的颗粒最多允许1个。 超细颗粒(0.1级)，颗粒尺寸缩小到20-30nm，“U”描述符。 净化间结构 微环境 微 环 境 人 人是颗粒的产生者，是净化间沾污的最大来源。 颗粒来源于头发和头发用品（喷雾、发胶）、衣物纤维屑、皮屑等。 人类活动释放的颗粒 超净服 现代超净服是高技术膜纺织品或密织的聚酯织物，对≥ 0.1μm的颗粒具有99.999%的效率级别。 对身体产生的颗粒和浮质的总体抑制 超净服系统颗粒零释放 零静电积累 无化学和生物残余物的释放 厂房 分为生产区（1级）和服务区（1000级） 气流：垂直层状气流，避免了横向沾污 空气过滤：高效颗粒空气过滤器（HEPA）或超低渗透率空气过滤器（ULPA） 温度和湿度 静电释放（ESD）控制方法：防静电的净化间材料；ESD接地；空气电离。 水 超纯去离子水(DI)中不允许的沾污有： 溶解离子 有机材料 颗粒 细菌 硅土 溶解氧 去离子水 1条200mm工艺线中，制造每个硅片的去离子水消耗量达到2000加仑 去离子化指的是用特制的离子交换树脂去除电活性盐类的离子 用于硅片加工的去离子水称为18兆欧水 细菌控制：超纯水系统采用紫外（UV）灯来杀灭细菌 工艺用化学品 颗粒过滤(particle filtration):适用于大约1.5微米以上颗粒的过滤 微过滤(microfiltration): 用于去除液体中0.1到1.5微米范围颗粒的膜过滤 超过滤(ultrafiltration): 用于阻挡大约0.005到0.1微米尺寸大分子的加压膜过滤 反渗透(reverse osmosis, RO) /超级过滤(hyperfiltration): 加压的处理方案，输送液体通过一层半渗透膜，过滤到小至接近0.005微米的颗粒和金属离子 工艺气体 超纯气体 气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒 腐蚀性气体过滤器是全金属的（如镍）；其他气体过滤器用聚四氟乙烯。 生产设备 剥落的副产物积累在腔壁上 自动化的硅片装卸和传送 机械操作，如旋转手柄和开关阀门 真空环境的抽取