微电子器件工艺课程设计.docVIP

课 程 设 计 课程名称 微电子器件工艺课程设计 题目名称 PNP双极型晶体管的设计 学生学院___ 材料与能源学院___ _ 专业班级 08微电子学1班 学 号 3108008033 学生姓名____ 张又文 __ _ 指导教师 魏爱香、何玉定 ___ 2011 年 7 月 6 日 广东工业大学课程设计任务书 题目名称 pnp双极型晶体管的设计 学生学院 材料与能源学院 专业班级 微电子学专业08级1班 姓 名 张又文 学 号 3108008033 一、课程设计的内容 设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，β=120。VCEO=15V,VCBO=80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=5mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 二、课程设计的要求与数据 1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则 2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB,和NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等。 4．根据扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 7．撰写设计报告 三、课程设计应完成的工作 1. 材料参数设计 2.晶体管纵向结构设计 3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形） 4．工艺参数设计和工艺操作步骤 5.总结工艺流程和工艺参数 6. 写设计报告 四、课程设计进程安排 序号 设计各阶段内容 地点 起止日期 1 教师布置设计任务，讲解设计要求和方法 教1-310 2011.6.27 2 学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定 图书馆 工三311 2011．.6.28 3 设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计 图书馆 工三311 2011 .6.29 4. 教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题 教1-302 2011.6.30 5 晶体管工艺参数设计， 实验室 教1-302 2100.7.1- 2011.7.2 6 绘制光刻基区、发射区和金属化的版图 实验室 教1-302 2011.7.3 2011.7.4 8 教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题 实验室 教1- 301 2011.7.5 9 总结设计结果，写设计报告 实验室 教1-301 2011.7.6 10 写课程设计报告 图书馆， 宿室 2011.7.7 11 教师组织验收，提问答辩 实验室 2011.7.8 五、应收集的资料及主要参考文献 1．《半导体器件基础》Robert F. Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004. 2．《半导体物理与器件》 赵毅强等译，电子工业出版社，2005年. 3．《硅集成电路工艺基础》，关旭东编著，北京大学出版社，2005年. 发出任务书日期： 2011 年 6 月 27 日 指导教师签名： 计划完成日期： 2011年 7月8日 基层教学单位责任人签章： 主管院长签章： 目录 广东工业大学课程设计任务书 2 一、设计任务及目标 5 二、 晶体管的主要设计步骤和原则 5 2.1.晶体管设计一般步骤 5 2.2．晶体管设计的基本原则 6 三、晶体管物理参数设计 7 3.1. 各区掺杂浓度及相关参数的计算 7 3.2.集电区厚度Wc的选择 10 3.3. 基区宽度WB 10 3.4.扩散结深 13 3.5.杂质表面浓度 14 3.6.芯片厚度和质量 14 3.7. 晶体管的横向设计、结构参数的选择 14 四、工艺参数设计 16 4.1. 工艺参数计算思路 16 4.2. 基区相关参数的计算过程 16 4.3.发射区相关参数的计算过程 18 4.4. 氧化时间的计算 20 五、设计参数总结 21 六、 工艺流程图 22 七、 生产工艺说明 24 7.1 硅片清洗 24 7.2 氧化工艺 26 7.3. 光刻工艺 27 7.4 磷扩散工艺