pld制备的zosicsi薄膜的光电特性及mn掺杂zno薄膜的结构和磁性研究.pdfVIP

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2016-01-25 发布于四川
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pld制备的zosicsi薄膜的光电特性及mn掺杂zno薄膜的结构和磁性研究.pdf

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pld制备的zosicsi薄膜的光电特性及mn掺杂zno薄膜的结构和磁性研究

， Abst豫c￡ 2。The5 ZnOthin￡lmwaS PLD。Thes臼mc抛re a￡。％Mn—doped preparedby characteristicofthe has s踟plebeen XI之Dand fme perf．o肌edby x—rayabsomtion results showthatMn2+substitutesforZn2十intetrahe击al stmcture(XAFS)。1he le鑫dS幻the i魏e羚鑫seQfl蘸tiee c盛∞e|ion跹d sy攥撵et黟，whie耋l e潍st鞠{along in出Icesworse ofthe c巧stalquality ZnO min纛lm。Low钯mpe豫tureferromagnetism ofme fiImhasbeen Zno．95Mno．050 obsen，ed acommercial byusing interface resultsof0 a稚 quantum deVice(SQUID)．强e K—edgeabsoq)tionspectra PL th鼓搬e臻a豫nu搬e∞usOVac张eies sp。e妇in攮e痰e i建氇e in￡o sa爨ple．Taking accountOfBMP cOncludethatthelow of theo叫，we temperatureferromagnetism ZnO is relatedtothe of vacancies．】Ⅵ．n—doped sample probalbIy presenceoxygen Keywords：ZnO，SiC，ultraVioletsemicon翻ctof de专ectof，dilute莲magnetie lH 第一章绪论 1．3．4其它薄膜制备方法除了上述的制备方法外，脉冲激光沉积(PLD)技术在Zn0薄膜的制备中也有广泛的应用，我们将在第二章给以详细介绍。此外，Zn0薄膜的生长还有反应蒸发沉积、弧光等离子体放电、熔融、水热等方法。不过，这些方法目前研究和应用仍较少。 1．4 ZnO紫外辐射探测器和稀磁半导体研究进展 1．4．1 ZnO紫外辐射探测器的研究进展由于Zn0是一种直接宽禁带的化合物半导体材料，在室温下的禁带宽度为 2’23】。高光电导特性，可制作紫外探测器【2 Zn0紫外探测器分为结型和光电导型，但是由于p型Zn0制备困难，所以早用溅射的znO薄膜制作出上升时间和下