三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性.pdfVIP

维普资讯 真空与低温 第 l4卷第2期 Vacuum Cryogenics 2008年 6月 三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性 赵 云，陶 洪，兰林峰，覃东欢，曹 镛 (华南理工大学，特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室，广东 广州 510641) 摘 要：采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及 x射 线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征。结果表明，硒纳米线为单晶结构，生长方向沿[001]面，平行于螺旋轴。 结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术 ，成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件。初步测试表明，这种硒纳米线为P型半 导体。 关键词