电力电子技术(王云亮)电子教案(第版)摘要.ppt

(1) IGBT的伏安特性 伏安特性分3个区域：正向阻断区、有源放大区和饱和区。 当UGEUG(th)，IGBT 工作于阻断状态。 当UGE＞UG(th)， VMOS 沟道体区内形成导电沟道， IGBT 进人正向导通状态。 (2) IGBT的转移特性 IGBT的伏安特性和转移特性 3.绝缘栅双极型晶体管的特性 (3)开关特性 IGBT的开关特性 4. 绝缘栅双极型晶体管的主要参数 (1) 集射极额定电压UCEO IGBT最大耐压值。 (2) 栅射极额定电压UGES UGES是栅极的电压控制信号额定值。只有栅射极电压小于额定电压值，才能使IGBT导通而不致损坏。 (3) 栅射极开启电压UG(th) 使IGBT导通所需的最小栅-射极电压,通常IGBT的开启电压UG(th)在3V～5.5V之间。 (4) 集电极额定电流IC 在额定的测试温度(壳温为25℃)条件下，IGBT所允许的集电极最大直流电流。 (5) 集射极饱和电压UCES IGBT在饱和导通时，通过额定电流的集射极电压。通常IGBT的集射极饱和电压在1.5V～3V之间。 1.3 电力电子器件的驱动电路 　　 驱动电路是电力电子器件与控制电路之间的环节，根据控制电路的输入信号提供足够的功率使电力电子器件在“断开”与“导通”状态之间进行转换，驱动电路应该使电力电子器件