电力电子技术第五版课件电力电子器件摘要.pptVIP

2.4.3 电力场效应晶体管 ■电力MOSFET的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √指漏极电流ID和栅源间电压 UGS的关系，反映了输入电压和输 出电流的关系 。 √ID较大时，ID与UGS的关系近似 线性，曲线的斜率被定义为 MOSFET的跨导Gfs，即 * 图2-21 电力MOSFET的 转移特性和输出特性 a) 转移特性 (2-11) √是电压控制型器件，其输入阻 抗极高，输入电流非常小。 2.4.3 电力场效应晶体管 * ?输出特性 √是MOSFET的漏极伏安特性。 √截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）三个区域，饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。 √工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 ?本身结构所致，漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。 ?通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 图2-21 电力MOSFET的转移特性和输出特性 b) 输出特性 2.4.3